MTSH2体系CVDSiC的气相分析.pdf

第25 卷 第8 期 无 机 材 料 学 报 Vol. 25 No. 8 2010 年8 月 Journal of Inorganic Materials Aug., 2010 文章编号: 1000-324X(2010)08-0845-06 DOI: 10.3724/SP.J.1077.2010.00845 MTS/H2 体系 CVD SiC 的气相分析 1, 2 2 2 2 卢翠英 , 成来飞 , 赵春年 , 张立同 (1. 榆林学院 化学与化工学院, 榆林 719000; 2. 西北工业大学 超高温结构复合材料国防科技重点实验室, 西安 710072) 摘 要: 采用CG/MS 定性定量分析了MTS/H2 体系CVD SiC 的气相组成, 考察了沉积温度、总压和流量对气相组 成的影响, 从反应速率和分子浓度大小的角度出发, 分析了 MTS 在 H2 中的分解步骤. 主要结论如下: (1) 检测到 CH 、C H 、C H 、C H 、C H 、MTS 、SiCl 和 CH SiHCl 物质, 其中 CH 和 SiCl 的含量较高. (2) 体系温度、 4 2 6 2 4 3 6 2 2 4 3 2 4 4 总压和总流量对气相组成有显著影响, 其影响规律与热力分析结果一致. (3) MTS 主要以Si−C 键断裂引发分解反应, 经历与原反应气反应、中间物质和副产物生成等主要阶段, CH →C H →C H →C H 是生成烷烃化合物的主要路径. 3 2 6 2 4 2 2 关 键 词: GC/MS; 气相分析; CVD SiC; MTS/H2 中图分类号: O657 文献标识码: A Analysis of Gaseous Species in Chemical Vapor Deposition of SiC from MTS/H2 1,2 2 2 2 LU Cui-Ying , CHENG Lai-Fei , ZHAO Chun-Nian , ZHANG Li-Tong (1. School of chemistry and chemical engineering, Yulin University, Yulin 719000, China; 2. National Key Laboratory of Ther- mostructure Composite Materials, Northwestern Polytechnical University, X