立方氮化硼单晶紫外吸收光谱的研究.pdfVIP

维普资讯 第28卷 ，第 7期 光 谱 学 与 光 谱 分 析 Vo1．28，No．7，pp1569—1572 2008年 7月 SpectrosCopy：andSpectralAnalysis July，2008 立方氮化硼单晶紫外吸收光谱的研究 ● ． ● 刘海波 ，贾 刚 ，陈 岗 ，孟庆 巨 ，张铁臣。 1．吉林大学电子科学与工程学院，吉林 长春 130012 2．吉林大学材料学院，吉林 长春 130012 3．吉林大学超硬材料国家重点实验室，吉林 长春 130012 摘 要 对于在高温、高压下合成的人工立方氮化硼 (cBN)片状单 晶进行了紫外吸收光谱和第一性原理的 能带结构研究。实验中采用了UVW]NLAB光谱分析仪 ，数据分析 由MOLECULARSPEC~ROSCOPY软 件进行拟合运算，通过特殊的石英夹具对样品的测试表明cBN的紫外吸收波长限为 198nlTl，带隙为 6．26 eV。结合第一性原理计算的cBN的能带结构和电子态密度的计算 ，可以证实导致紫外光吸收的过程是价带 电子吸收光子到导带的间接跃迁。文章实验结果与目前报道的cBN能带结构中禁带宽度的吻合较好，表明 cBN具有良好的紫外特性 ，是一种具有发展前景的紫外光电和高温半导体器件材料。 关键词 立方氮化硼单晶；紫外吸收；带隙 中图分类号 ：TN304．2 文献标识码 ：A 文章编号：1000—0593(2008}07—1569—04 制 ，这方面的相关报道不多。 引 言 1 实 验 立方氮化硼 (cBN)是最为典型的Ⅲ一V族人工合成化合 物。除具有优于金刚石的化学稳定性和仅次于金刚石 的硬 cBN样品是将h-BN与溶剂混合后，在 4．0～6．0GPa和 度[1]外 ，由于其宽的禁带宽度 (6．4eV)、低介电常数、 1400~1900℃的高温高压条件下 10~20min即得到片状 理论上高达 13W ·(crrLK)-1的热导率(实验获得最大热导 单晶体，晶体呈琥珀色，尺度为300tan，呈厚约 100tan片 率为7．4W ·(crrLK)-1)、可掺杂形成 P型和 型半导体材 状。立方氮化硼是一个八面体，外露的八个面都为(111)面。 料等特性而使其在光电器件方面备受关注r3_。人们对于 其中有一组相互平行较大的两个面，其余六个 (111)面都较 cBN的理论和实验研究较早 引，大量的理论研究 由于所采 小，呈梯形状，如图 1(b)。其实，所谓 的片状晶体实际上是 用的方法和近似不同，所得到的带隙结构也不同(直接带隙 发育不完整的正八面体。这样的晶体在生长过程中，总有一 和间接带隙)，对于带隙宽度 的计算结果为 4．4～11．3 个(111)面生长较快而其他面生长较慢，它相当于一个完整 ev[¨ ，为金刚石带隙的一半到两倍。实验上，Philipp[”]等 八面体沿 (111)面切割后所得到的形状 ，如图 1(a)所示。 报道了小尺寸 cBN带隙大于金刚石 的反射谱数据 (5．5