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Sheet3
Sheet2
Sheet1
1、开关管耗损
优选方案:
低导通内阻,高开关速度
也就是说
开关损耗在每个开关周期是固定的。
所以频率越高,开关损耗越高
传导损耗是由开关管的导通内阻决定的
所以开关管的导通内阻越小,传导损耗越高
2、续流二极管的损耗
快恢复,低结压降
也包括开关损耗和传导损耗
3、储能电感的损耗
优选方案:低损耗,高q值。
圈数越多 铜损越大
频率越高,圈数越少
频率越低,圈数越多
所以频率越高,铜损越小,体积越小
所以频率越低,铜损越大,体积越大
XL=2πfL
也就是说频率越高、电感量越大,感抗越大
Q=XL/R
其实基本上就是电感的阻值越小,Q值越高
趋肤效应?
高频时,电流集中于导体表面
分布电容?
分段绕法可以减少分布电容
影响开关电源效率的因素:
1、开关管的损耗
包括开关损耗和传导损耗,开关损耗跟频率正相关,跟开关管的开关速度负相关,传导损耗则由开关管的结构和制造工艺决定,优选方案是高开关速度、低导通内阻的管子。现代MOS管比起双极晶体管而言具有更低的导通内阻和更高的开关速度。
2、续流二极管的损耗
也包括开关损耗和传导损耗,开关损耗跟频率正相关,跟二极管的反向恢复时间负相关,传导损耗则由二极管的结压降决定,优选方案是快恢复、低结压降的管子,小功率应用中肖特基管正符合这样的要求。
3、储能电感的损耗
包括铜损和磁损,铜损跟线圈的内阻正相关,同样电感量下工作频率越低的电感需要更多的绕制圈数,于是铜损与频率负相关。同样工作频率下,磁芯体积较大时可以采用更粗的线径来绕制,于是铜损跟导线线径/电感体积负相关。磁损跟磁性材料的特性有关,跟频率和磁通密度正相关。优选方案是低损耗、高Q值的电感。但是,电感的损耗除跟自身的结构参数有关外,还跟整体电路的原理和结构也有关系。
4、滤波电容的损耗
包括串联等效电阻的损耗、串联等效电感的损耗、介电损耗和漏电流损耗等,考虑到不同容量下的电容材料往往会有很大不同,所以损耗不能简单跟频率挂钩,值得注意的是,可工作频率较高的陶瓷电容损耗往往比铝电解电容低。
5、电路中的其它损耗
这个由电路结构和相关元件的参数决定。
在开关电源系统中,因为影响效率的因素很多,多数情况下似乎频率越高损耗越大,效率自然也越低,但现代开关电源得益于技术的进步反而可能来个大逆转,可以比较一下已有三十年高龄的MC34063和前不久论坛里才试用评估过的采用了同步整流、低内阻高速开关MOS管等新技术的TI易电源二者间的效率。
所以,要比较看来还得有个前提:同样的技术手段下。
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