带有腔面非注入区的大功率808nmGaAs_AlGaAs激光二极管列阵.pdfVIP

下载本文档

2
0
约7.31千字
约 3页
2017-08-08 发布于重庆
举报
版权申诉

带有腔面非注入区的大功率808nmGaAs_AlGaAs激光二极管列阵.pdf

1、本文档共3页，可阅读全部内容。
2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

带有腔面非注入区的大功率808nmGaAs_AlGaAs激光二极管列阵.pdf

808nm GaAs/ AlGaAs 808nm GaAs/ AlGaAs 方高瞻肖建伟马骁宇谭满清刘宗顺刘素平冯小明 ( 中国科学院半导体研究所国家光电子器件工程研究中心北京100083) 摘要报导了带有腔面非注入的808nm GaAs/ A lGaAs 激光二极管列阵的制作过程和测试结果在器件前后腔面处引入25m 非注入 , 填充密度为17% 的1cm 激光二极管列阵最高连续输出功率达87W , 热沉温度是25 , 抗COD 能力比没有非注入的激光二极管列阵高40% 器件在连续15W 下恒功老化, 工作寿命超过5000h 关键词激光二极管列阵, 非注入 , COD, GaAs/ AlGaAs COD [ 8] 0 引言 , , , , , 808nm GaAs/ AlGaAs , NdYAG , , , , COD , , ( COD) [ 1, 2] COD 808nm GaAs/ AlGaAs , 25 , 17% 1cm , , 87W , COD , , 808nm GaAs/ AlGaAs , 40% , 15W , 5000h , , , COD , , 1 器件结构及制作 , GaAs/ AlGaAs [ 5] ( GRIN SCR SQW) , P N , , , ; , , , 1 [ 3, 4] , , , ( MOCVD) , 18 3 , , n-GaAs ( Si, n= 1~ 3 10 / cm ) 18 3 ; , Al Al 0. 5m n- GaAs ( Si, n = 1 10 / cm ) , [ 6 , 7] ( 1) 1m N-Al0. 7 Ga03As GaAs/ AlGaAs , GaAs/ AlGaAs 18 3 ( Si, N = 110 / cm ) , ( 2) 75nm Al Ga As , Al , , x 1- x , , Al (