微电子与电子第三章2.docVIP

第3章 光接收器件及集成技术 3.3 基于III－V族半导体材料的光电探测器 半导体光电探测器是利用内光电效应进行光电探测的，通过吸收光子产生电子-空穴对从而在外电路产生光电流。其过程可以分为三步：光子吸收产生电子-空穴对，在适当内电场作用下载流子的漂移，欧姆接触收集载流子。半导体光电探测器有以下优点：结构紧凑、低工作电压、宽频谱范围、高量子效率、器件稳定性好、工作温度范围宽、可批量生产、成本低等。正是由于这些优点使半导体光电探测器得到了广泛应用，从可见光波段到红外波段，从光纤通信到光学测距，从激光制导到光电成像，半导体光电探测器都显示了其优异的性能。 和激光器不同，众多半导体材料都可用来制造光电探测器。只要入射光波长在半导体材料的光谱吸收范围，即使是硅锗这样的间接带隙材料也可用来制造光电探测器。这些材料包括：IV族单晶Si，Ge；III－V族二元及多元组分化合物GaAs，InP，InSb，GaAlAs，InGaAs，InGaP，InGaAsP等。对于硅这样间接带隙材料其光谱吸收曲线不像GaAs那样具有陡峭吸收边，其吸收系数也相应小许多，其波长吸收极限为1.1μm。在小于这一波长范围内，硅是广泛使用的光电探测器材料。由于其电子与空穴离化率之比很高，用它制成的雪崩二极管的噪声很小，从而使得带宽增益很大。锗的光谱吸收范围最宽，覆盖了可见光波段到光通信波段。因此锗可用来制造长波长1.3 μm和1.55 μm波段光纤通信探测器。锗光电探测器遇到主要问题是其暗电流较大，从而导致了灵敏度、光谱响应及温度稳定性等一系列问题而限制了它的应用。现在光通信波段广泛使用的光电探测器材料是InGaAs和InGaAsP，这些III-V族组分化合物可以通过调整各组分的含量以改变禁带宽度，从而使其光谱吸收曲线拓展到光通信波段。 根据光电探测器结构的不同，光电探测器可以分为4种：即pn结光电探测器、PIN光电探测器、APD雪崩光电二极管及金属－半导体－金属MSM光电探测器。其中pn结光电探测器是结构最简单的一种探测器，其结构为一个普通的pn结，光生载流子在电场作用下漂移到pn结两边。由于普通pn结耗尽区太窄，光生载流子含有扩散成分，严重影响了器件工作速度。因此人们在pn结中间加了一层本征层以增加耗尽层宽度，这样就使得光生载流子在强电场作用下漂移到pn结，避免了载流子扩散成分对光电探测器的影响，极大地提高了工作速度。APD结构最复杂，具有内部增益功能，因此其响应度和信噪比S/N都比较高。MSM结构简单，制造工艺和微电子工艺兼容，便于和场效应管电子器件集成实现OEIC光电子集成回路。 3.3.1 PIN型光电探测器 1.PIN基本结构 图 PIN光电探测器基本结构如图（a）所示为PIN光电探测器基本结构，N型衬底上生长一层低掺杂本征层，在淀积的上开窗形成P型注入区。分别在N型衬底和表面做欧姆接触，其中表面的欧姆接触需要开窗以便于光线入射。为了减少入射表面的反射以提高器件外量子效率，需要在表面涂一层抗反射膜。在这种结构中P型注入区要比本征区薄得多，这样就能使大部分入射光在本征区被吸收，既提高了量子效率又提高了速度。 图（b）为端面入射结构，P型和N型接触分别做在衬底上下表面而将入射光改为在端面入射。这种结构消除了表面入射结构产生的P型区域的吸收，减小了入射光的损耗。此外它将光的入射方向和载流子的运动方向分开，因此我们可以把本征区做得很长以便于入射光的吸收从而提高量子效率的同时不影响载流子的漂移时间。这样既提高了响应度又提高了工作速度。此外，我们还可以在另一个端面涂一层反射膜进一步促进光的反射吸收。通过优化两个端面的反射率形成共振谐振腔增强型RCE结构可以有效地提高入射光的吸收。图（a）是一个典型的异质结PIN［13］，P型和N型区域均为InP，本征层InGaxAs生长在N型InP衬底上。当X=0.47时InGaAs和InP之间晶格匹配，并且窄的禁带宽度能使光谱响应达到1.65 μm。由于InP的禁带较宽（1.34 eV），根据式（3－5）可知它的本征吸收截止波长为0.92 μm。因此对于波长大于0.92 μm的入射光InP呈透明状态，如图（b）所示。通过消除表面p＋－InP的吸收增加了入射光在本征区的吸收，有效地提高了响应度。表面吸收的消除还使得在0.92 μm和1.65 μm范围内波长响应曲线变得平坦。这是因为吸收系数随入射光波长减小而增大，相应的吸收长度随入射光波长减小而减小。在没有消除表面吸收的情况下，对于短波长的入射光有很大一部分在表面被吸收，对于表面吸收产生的载流子会由于表面态等原因很快被复合掉。由于这部分载流子未漂移到pn结就被复合掉，因此对光电流没有贡献，这样就使得短波长光的响应度偏低，造成光谱吸收曲线不平坦。需要注意的是只有当本征区宽度足够大（