太阳电池基础.ppt

多晶硅的提纯 化学提纯是指通过化学反应，将硅转化为中间化合物，再利用精馏提纯等技术提纯中间化合物，使之达到高纯度；然后再将中间化合物还原成硅，此时的高纯硅为多晶状态，可以达到半导体工业的要求。 其共同特点是：中间化合物容易提纯。 高纯多晶硅的生产 西门子法 德国西门子公司于1954年发明，也叫三氯氢硅氢还原法，是广泛采用的高纯多晶硅制备技术。 它主要利用金属硅和氯化氢反应，生成中间化合物三氯氢硅 Si + 3HCl = SiHCl3 + H2 反应除生成三氯氢硅外，还有其它杂质，需要精馏化学提纯。 高纯多晶硅的生产 将置于反应室的原始高纯多晶硅细棒（直径约5 mm）通电加热到1100摄氏度以上，通入中间化合物三氯氢硅和高纯氢气，发生还原反应，采用化学气相沉积技术生成新的高纯硅沉积在硅棒上，使硅棒不断长大，直到硅棒直径达到150-200mm。 SiHCl3 + H2 = Si + 3HCl 高纯多晶硅的生产 硅烷热分解法 优点：硅烷容易提纯； 硅烷分解直接生成多晶硅，不需要 还原反应，且分解温度低。 缺点：综合生产成本高。 高纯多晶硅的生产 制备硅烷的方法： 1、硅化镁在液氨中与氯化铵反应来制取硅烷。 此时液氨既是溶剂又是催化剂。 Mg2Si+4NH4Cl=SiH4+4NH3+2MgCl2 (-30℃、液氨中) 日本小松电子公司发明，美国Asimi和SGS公司也有应用。 高纯多晶硅的生产 2、利用四氯化硅和金属硅反应生成三氯氢硅，然后三氯氢硅歧化反应，生成二氯氢硅，最后二氯氢硅催化歧化反应生成硅烷。 3SiCl4 + 2H2 + Si = 4SiHCl3 2SiHCl3 = SiH2Cl2 + SiCl4 SiH2Cl2= SiH4 + SiHCl3 此技术由美国联合碳化物公司（Union Carbide）提出。 高纯多晶硅的生产 以上两种方法制得的硅烷可以利用精馏技术提纯，然后通过反应室，细小的多晶硅硅棒通电加热到850℃以上，硅烷分解，生成的多晶硅沉积在硅棒上，化学反应为： SiH4 = Si + 2H2 区熔单晶硅 区熔单晶硅 制备过程： 首先以高纯多晶硅为原料，制成棒状，并将多晶硅垂直固定；在多晶硅棒的下端放置具有一定晶向的单晶硅，作为单晶生长的籽晶。然后在真空或氩气等惰性气体保护下，利用高频感应线圈加热多晶硅棒，使多晶硅棒的部分区域形成熔区，并依靠熔区的表面张力保持平衡和晶体的顺利生长。 区熔单晶硅 晶体生长首先从多晶硅棒和籽晶的结合处开始，多晶硅棒和籽晶以一定的速度做相反方向的运动，熔区从下端沿多晶硅棒缓慢向上端移动，使多晶硅逐步转变成单晶硅。 高频感应加热 电磁感应原理 1831年，英国物理学家faraday发现了电磁感应现象，并且提出了相应的理论解释。其内容为，当电路围绕的区域内存在交变的磁场时，电路两端就会感应出电动势，如果闭合就会产生感应电流。 高频感应加热，是将工频（50HZ）交流电转换成频率一般为1KHZ至上百KHZ，甚至频率更高的交流电，利用电磁感应原理，通过电感线圈转换成相同频率的磁场后，作用于处在该磁场中的金属体上。 利用涡流效应，在金属物体中生成与磁场强度成正比的感生旋转电流（即涡流）。由旋转电流借助金属物体内的电阻，将其转换成热能。 高频感应加热 表面张力 表面张力 用分子力解释： 液体的內聚力是形成表面张力的原因。在液体內部，每個分子都在每个方向都受到邻近分子的吸引力（也包括排斥力），因此，液体內部分子受到的分子力合力为零。然而，在液体与气体的分界面上的液体分子在各個方向受到的引力是不均衡的（见图），造成表面层中的分子受到指向液体內部的吸引力，并且有一些分子被“拉”到液体內部。因此，液体会有缩小液面面积的趋势，在宏观上的表現即为表面张力现象。它使得液体的表面总是试图获得最小的、光滑的面积，就好像它是一层弹性的薄膜一样。 直拉单晶硅 p87 位错p133 硅片加工 p98 工艺流程 清洗制绒（超声波清洗→减薄→喷淋→绒面） →（喷淋→酸洗→喷淋→漂洗→喷淋→甩干）→扩散（合片→扩散→卸片） →刻蚀（叠片→上夹具→刻蚀→插片)→洗磷（去磷硅玻璃→喷淋→甩干