基于功耗特征的蔡氏电路混沌复杂性研究.pdf

第17卷第2期 电路与系统学报 V01．17 No．2 2012年4月 JOURNALOFCIRCUITSAND SYSTEMS Apfil，2012 文章编号：I007-0249(2012)02．0072．04 基于功耗特征的蔡氏电路混沌复杂性研究★ 李雷， 李文石群 (苏州大学电子信息学院微电子学系，江苏苏州215006) 摘要·基于MultisimlO．1对蔡氏电路的功耗进行仿真研究。区别于以往分析混沌演化的时域、频域和相图特征方 法，本文着重研究蔡氏电路的混沌复杂性与功耗的关系。首先调整蔡氏电路的电感，测量和分析纯阻的耗散功率特征， 注入大于O．26mW的功率，可以实现混沌从双涡卷状Chua吸引子向极限环的演进。 关键词t混沌：蔡氏电路；功耗；电感；电阻 中圈分类号·TP918．8 文献标识码。A 1 引言 混沌研究的总体脉络可近似概括为：计算混沌专仿真混沌÷实验混沌。美国Berkeley大学的美籍 华人学者蔡少棠于1983年，基于模仿洛伦兹方程，提出了实现混沌的最简化电路结构：蔡氏电路(Chua’ sCircuit)，由此开启实验混沌研究之门【I2J。 区别以往研究混沌演化的时域、频域和相图特征方法【3】，侧重仿真考察蔡氏电路中混沌复杂度与 功耗的关系。利用Multisim 10．1仿真蔡氏电路，依据混沌现象对初值状态敏感的特性，改变蔡氏电路 的电参数值(例如￡1和尺1)，并借助混沌现象演化的相图特征，分析混沌演化与功率的关系。最后得 出混沌演进中(例如双涡卷状Chua吸引子向极限环的演进)，尺1功率的变化量近似保持为固定值 (肚0．26mW)。 文中首先构造了蔡氏电路的仿真电路，然后通过调整电感参数研究 混沌演进，继之通过调整电阻验证电感变化导致的混沌特征。最后，基 于结果比较得到纯阻微弱功率吸收0．26mW的特性(电路供电压士5V)。 2 蔡氏电路的仿真构造 图l蔡氏电路原理图 蔡氏电路使用三个储能元件(一个 电感三l和两个电容Cl和C2)、一个线 性电阻R1和一个非线性电阻，其电路 形式如图l所示。利用MultisimlO．1仿 真蔡氏电路，仿真电路如图2所示，其 中核心的非线性电阻(蔡氏二极管)使 用的是Kennedy于1993年提出的方法 Hj：由2个运算放大器和6个电阻构成。 3 混沌现象的功耗特征提取 图2基于Multisim10．1实现蔡氏电路 分别改变电感和电阻参数，提取混沌现象功耗特征。 20ll-06-13 ’收稿日期t 修订日期：20ll—07一08 基金项目t国家自然科学基金资助；江苏省高校自然科学研究项目资助(09KJB5lOOl7) #通信作者tEmail：1wshi@suda．edu．cn 第2期 李雷等：基于功耗特征的蔡氏电路混沌复杂性研究 3．1 蔡氏电路的电感调整 混沌敏感于初始条件。实验发现： 蔡氏电路中尺l、三l和C1分别影响混 沌现象演进的敏感度关系为： ￡lC1R1。故首先采用调整￡1实现 混沌演变。 测试电路如图3所示。保持Cl、 c2、尺l和双运放非线性电阻模块值 图3蔡氏电路仿真测试电路 恒定。 使用虚拟示波器(XSCl)提取电路中A点 和B点的瞬间电压屹和％。连续选取1983个 屹和％瞬间电压组成电压序列，权作被分析数 据。 根据纯阻支路有P