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三极管的工作原理--解释深刻 （本文以NPN型三极管为例） 前言 相信很多初学电子的朋友，在刚接触三极管的时候，都很难理解其原理，笔者当 初就是如此。虽然知道它的作用是可以用小电流控制大电流——电流放大作用， 但对 于里面的原理却一直困惑。在网上找了很多资料，对其原理描述都很模糊。 笔者查询了和三极管相关的半导体资料，对其原理有进一步的认识，想拿出来和 各位电子 初学者一起学习，同时希望抛砖引玉，学习其他电子爱好者的观点。 关键字：三极管 原理 电子初学者 电子爱好者 一、概念理解 1、N型半导体：又称为电子型半导体。在纯净的硅晶体中通过特殊工艺掺入少 量的五价元素 （如磷、砷、锑等）而形成，其内部自由电子浓度远大于空穴浓度。 所 以，N半导体内部形成带负电的多数载流子——自由电子，而少数载流子是 空穴。N型半导体主要靠自由电子导 。由于自由电子主要由所掺入的杂质提供， 所以掺 入的五价杂质越多，自由电子的浓度就越高，导电性能就越强。而空穴 由热激发形成，环境温度越高，热激发越剧烈。 2、P型半导体：又称为空穴型半导体。在纯净的硅晶体中掺入三价元素 （如硼） 而形成，其内部空穴浓度远大于自由电子浓度，所以，P型半导体内部形成带正 的多数载流子——空穴，而少数载流子是自由电子。P型半导体主要靠空穴 导 。由于空穴主要由所掺入杂质原子提供，掺入三价的杂质越多，空穴的浓度 就越高， 导电性能就越强。而自由电子是由热激发形成，环境温度越高，热激 发越激烈。 3、PN结及特性：P型和N型半导体接触时，在界面附近空穴从P型半导体向N 型半导体扩散，电子从N型半导体向P型半导体扩散。空穴和电子相遇而复合， 载 流子消失。因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子，却有内建一个 由N 区指向P区的内电场。由于内电场是由多子建成，所以达到平衡后，内建 场将阻挡 多数载流子的扩散，但不能阻止少数载流子。P区和N 区的少数载流 子一旦接近PN结，便在内电场的作用下漂移到对方。 ＰＮ结的单向导电性 外加正向电压 （正偏）：在外电场作用下，多子将向ＰＮ结移动，结果使空间 荷区变窄，内电场被削弱，有利于多子的扩散而不利于少子的漂移，扩散运动起 主要 作用。结果，Ｐ区的多子空穴将源源不断的流向Ｎ区，而Ｎ区的多子自由 电子亦不断流向Ｐ区，这两股载流子的流动就形成了ＰＮ结的正向电流。 外加反向电压 （反偏）：在外电场作用下，多子将背离ＰＮ结移动，结果使空间 电荷区变宽，内电场被增强，有利于少子的漂移而不利于多子的扩散，漂移运动 起主 要作用。漂移运动产生的漂移电流的方向与正向电流相反，称为反向电流。 因少子浓度很低，反向电流远小于正向电流。当温度一定时，少子浓度一定，反 向电流几 乎不随外加电压而变化，故称为反向饱和电流。 4、扩散和漂移：多数载流子移动时扩散，少数载流子移动时漂移。 5、复合：电子和空穴相遇就会复合，大量的电子-空穴对复合就形成电流。 6、空间电荷区：也称耗尽层。在PN结中，由于自由电子的扩散运动和内电场导 致的漂移运动，使PN结中间的部位(P区和N区交界面)产生一个很薄的电荷 区， 它就是空间电荷区。在这个区域内，多数载流子已扩散到对方并复合掉了，或者 说消耗殆尽了，因此，空间电荷区又称为耗尽层。P区一侧呈现负电荷，N 区一 侧 呈现正电荷，因此空间电荷区出现了方向由N 区指向P区的内电场。内电场将阻 碍多子的扩散，而少子一旦靠近PN结，便在内电场的作用下漂移到对方。PN结 正偏时，内电场减弱，有利于多子的扩散而不利于少子的漂移。PN结反偏时， 扩散运动使空间电荷区加宽，内电场增强，有利于少子的漂移而不利于多子的扩 散。 7、内电场：PN结附近空间电荷区中，方向由N 区指向P区的内电场。内电场对 多数载流子起隔离作用，而对少数载流子起导通作用。 8、载流子：可以自由移动的带有电荷的物质微粒，如电子和离子。金属中为 子，半导体中有两种载流子即电子和空穴。 9、少数载流子：P型半导体地少数载流子是自由电子，N型半导体中是空穴。 10、二极管：单向导电性。正偏多数载流子可以通过，反偏少数载流子可以通过。 反偏时P型半导体和N型半导体不能提供源源不断的少数载流子，所以反偏近似 无电流。 二、三极管的工艺要求及作用 1、发射区掺杂浓度高：确保发射区中有足够多的多数载流子——电子，当基极 电压高于发射极的时候，才有足够多的电子扩散到基极。 2、基区做得非常薄：可以更好的让基极（P型半导体）中的少数载流子—— 子漂移到集电极。 三、工作条件 1、集电极电压（Vc）大于基极电压（Vb），基极电