电容式触摸屏的构造主要是在玻璃屏幕上镀一层透明的薄膜导体层.docVIP

电容式触摸屏的构造主要是在玻璃屏幕上镀一层透明的薄膜导体层，再在导体层外加上一块保护玻璃，双玻璃设计能彻底保护导体层及感应器。 　　电容式触摸屏在触摸屏四边均镀上狭长的电极，在导电体内形成一个低电压交流电场。在触摸屏幕时，由于人体电场，手指与导体层间会形成一个耦合电容，四边电极发出的电流会流向触点，而电流强弱与手指到电极的距离成正比，位于触摸屏幕后的控制器便会计算电流的比例及强弱，准确算出触摸点的位置。电容触摸屏的双玻璃不但能保护导体及感应器，更有效地防止外在环境因素对触摸屏造成影响，就算屏幕沾有污秽、尘埃或油渍，电容式触摸屏依然能准确算出触摸位置。 电容式触摸屏是在玻璃表面贴上一层透明的特殊金属导电物质。当手指触摸在金属层上时，触点的电容就会发生变化，使得与之相连的振荡器频率发生变化，通过测量频率变化可以确定触摸位置获得信息。由于电容随温度、湿度或接地情况的不同而变化，故其稳定性较差，往往会产生漂移现象。该种触摸屏适用于系统开发的调试阶段。ITO 薄膜概述 掺锡氧化铟（IndiumTinOxide），一般简称为 ITO。ITO 薄膜是一种 n 型半导体材料，具有高的导电率、高的可见光透过率、高的机械硬度和良 好的化学稳定性。因此，它是液晶显示器（LCD）、等离子显示器（PDP）、 电致发光显示器（EL/OLED）、触摸屏（TouchPanel）、太阳能电池以及其 他电子仪表的透明电极最常用的薄膜材料。 ITO 薄膜发展 真正进行 ITO 薄膜的研究工作还是 19 世纪末，当时是在光电导的材料 上获得很薄的金属薄膜。关于透明导电材料的研究进入一个新的时期还是 应该在第二次世界大战期间， 主要应用于飞机的除冰窗户玻璃。 1950 年， 在 第二种透明半导体氧化物 In2O3 首次被制成，特别是在 In2O3 里掺入锡以 后，使这种材料在透明导电薄膜方面得到了普遍的应用，并具有广阔的应 用前景。 ITO 薄膜的基本性能 一、ITO 薄膜的基本性能 ITO（In2O3:SnO2=9:1）的微观结构，In2O3 里掺入 Sn 后， 元素可以代替 In2O3 晶格中的 In 元素而以 SnO2 的形式存 Sn 在，因为 In2O3 中的 In 元素是三价，形成 SnO2 时将贡献一个电子到导带 上，同时在一定的缺氧状态下产生氧空穴，形成 1020 至 1021cm-3 的载流 子浓度和 10 至 30cm2/vs 的迁移率。这个机理提供了在 10-4Ω.cm 数量级 的低薄膜电阻率，所以 ITO 薄膜具有半导体的导电性能。ITO 是一种宽能带 薄膜材料，其带隙为 3.5-4.3ev。紫外光区产生禁带的励起吸收阈值为 3.75ev，相当于 330nm 的波长，因此紫外光区 ITO 薄膜的光穿透率极低。 同时近红外区由于载流子的等离子体振动现象而产生反射，所以近红外区 ITO 薄膜的光透过率也是很低的，但可见光区 ITO 薄膜的透过率非常好，由 于材料本身特定的物理化学性能， ITO 薄膜具有良好的导电性和可见光区较 高的光透过率。 二、影响 ITO 薄膜导电性能的几个因素 ITO 薄膜的面电阻（R）、膜厚 （d）和电阻率（ρ）三者之间是相互关联的，这三者之间的计算公式是： R=ρ/d。由公式可以看出，为了获得不同面电阻（R）的 ITO 薄膜，实际上 就是要获得不同的膜厚和电阻率。 一般来讲，制备 ITO 薄膜时要得到不同的膜层厚度比较容易，可以通 过调节薄膜沉积时的沉积速率和沉积的时间来制取所需要膜层的厚度，并 通过相应的工艺方法和手段能进行精确的膜层厚度和均匀性控制。而 ITO 薄膜的电阻率（ρ）的大小则是 ITO 薄膜制备工艺的关键，电 阻率（ρ）也是衡量 ITO 薄膜性能的一项重要指标。公式 ρ=m/ne2T 给出 了影响薄膜电阻率（ρ）的几种主要因素，n、T 分别表示载流子浓度和载 流子迁移率。当 n、T 越大，薄膜的电阻率（ρ）就越小，反之亦然。而载 流子浓度（n）与 ITO 薄膜材料的组成有关，即组成 ITO 薄膜本身的锡含量 和氧含量有关，为了得到较高的载流子浓度（n）可以通过调节 ITO 沉积材 料的锡含量和氧含量来实现；而载流子迁移率（T）则与 ITO 薄膜的结晶状 态、晶体结构和薄膜的缺陷密度有关，为了得到较高的载流子迁移率（T）， 可以合理的调节薄膜沉积时的沉积温度、溅射电压和成膜的条件等因素。 所以从 ITO 薄膜的制备工艺上来讲， ITO 薄膜的电阻率不仅与 ITO 薄膜 材料的组成（包括锡含量和氧含量）有关，同时与制备 ITO 薄膜时的工艺 条件（包括沉积时的基片温度、溅射电压等）有关。有大量的科技文献和 实验分析了 ITO 薄膜的电阻率与 ITO 材料中的 Sn、 元素的含量， O2 以及 ITO 薄膜