1.静电的产生【荐】.docVIP

1.静电的产生 简单的说就是两物质经由接触摩擦而失去电子或得到电子，使带「不流动」的电荷称之静电。举例说明：垫板经由与人体摩擦后可吸引头发；尼龙裤或羊毛衣脱下时，因与人体摩擦而产生静电，在接触到空气而中和，以至于发出霹ㄆㄚ声响。 相对湿度也是影响摩擦生电的电量大小的因素，再低于45度以下时，会产生比处于55度以上的湿度下，更大的电压，破坏性也相对较大。 合理的相对湿度在30~60度之间 ＊静电的能量公式如下 静电的能量＝1/2*C*V2 Q＝C*V 电荷总量不变 若C减少则V增加 2、ESD故障模式 人体放电模式HBM(Human-Body Model) 组件充电模式CDM(Charged-Device Model) 机器放电模式MM(Machine Model) 电场感应模式FIM(Field-Induced Model) HBM模式概念 摩擦 － 带电 － 接触 － 放电 － 损坏 人体经由某种因素累积了静电，此时若接触到IC的接脚或其它导电部分，因两者之间电位不同，而IC某处又提供静电电荷消散路径时，将发生静电电荷消散，最后达到电荷平衡状态，在此一过程的极短时间(ns)内产生数安培的放电电流。 CDM模式概念 IC因摩擦或者其它因素而在IC内部累积了静电电荷，当IC在处理过程中，若碰触到接地表面，则静电将至内部流出造成放电现象，CDM上升时间约100ps，损坏时间则在20-50ps间即发生。 MM模式概念 机器放电模式是指在IC生产过程中，因为制程的自动化、机械化，生产机台本身因此累积了静电电荷，当机器碰触IC时，静电电荷便从IC接脚放电。 FIM模式概念 电场感应模式意指当IC因输送带或其它因素经过一电场时，其相对极性电荷可能会自IC接脚排放，待IC通过电场之后，IC本身便累积了静电电荷，此电荷便会以类似CDM模式放电。 3.静电放电的失效判定标准通常有下列三种方法： 故障等级： 等级A：经ESD测试后系统功能正常。 等级B：经ESD测试后系统会当机但系统可自动Reset回原来功能。 等级C：经ESD测试后系统会当机但经手动系统可Reset回原来功能。 等级D：经ESD测试后系统功能故障。 ＊绝对漏电流法 意指当IC受静电放电破坏测试后,漏电电流会随着所增加的偏压大小而增加,量测待测埠接脚在某一固定的偏压(VDD*1.1或VDD*1.4)下,漏电流超过某一特定值(1uA或10uA)时,就判定具其失效。 ＊相对I-V漂移法 意指当IC受静放电破坏测试后,量测其Input/Output的电压-电流特性曲线,其I-V的曲线*受破坏测试前的I-V曲线相互比较,若曲线漂移超过某一程度时(常用者为20%30%及40%三种),即判定此受测IC已失效 ＊功能观测法 意指先把功能正常且符合规格之IC的每一支脚依测试组合加上某一电压准位的ESD测试电压,再测试其功能是否仍符合原来的的规格,若不等就判定IC失效 4.何谓芯片型瞬时电压抑制器 TVS： 每天人们使用电子产品时(如手机、PDA、计算机等)，都可能引起不同程度的静电放电影响。这些短暂的ESD，包含于IEC 61000-4-2试验中，值得注意的是，通过生产过程中的产品并不一定保证能通过最终消费者的手中。因此，附加的ESD保护装置，如ESD抑制器是必要的。 SFI的突波吸收器、瞬时电压抑制器能够藉由限制突波电压及吸收能量而可靠的保护电路系统免于过激电压的侵害，它们通常被用于保护半导体，以确保电磁兼容并且抑制由静电放电所引起的瞬时性冲击；换句话说，它们有更大的突波电流及突波能量处置能力，同时也能够削减电磁干扰和射频干扰，因此使用SFI的突波吸收器、瞬时电压抑制器是一个安全、低成本的保护方法。 5..芯片型瞬时电压抑制器 TVS 动作原理及效用： ESD无法被阻止，因为它来自太多Source。由于这种原因，保护敏感电器设备免受ESD损坏的策略是把ESD从设备外分流。理想的保护收器在电力在线应是察觉不到的，而当电压达到一定的限值时应立即动作，分流多余的能量入大地。 TVS 工作原理正是如此，它一直静止在电源在线或数据传输在线，直到突波出现它才动作，平常不动作时它相当等于一棵电容，所以说有少部分EMI功能。当电压达到预先设定的伏特数时TVS立即动作，反应时间约为0.5毫微秒(ns)。 TVS在反应的一瞬间电阻从完全绝缘值(109Ω)降到近乎零奥姆(3~5Ω)，使瞬态过电压找到了进入大地通路导引电流远离敏感的电气设备，而电气设备继续接受正常的电压。 6.芯片型瞬时电压抑制器 SMD VARISTOR 特性简介： ■1.反应时间快速。 2.低漏电流。 3.低电容。 4.抑制电压特性之稳定执行能力。 ■ 应用范围 1.保护IC、FET、晶体管、闸流体、屏遮半导体及