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YAG激光切割单晶硅的工艺研究.pdf
3/2010 1
电力电子器件与应用
YAG 激光切割单晶硅的工艺研究
为为
（株洲南车时代电气股份有限公司，湖南 株洲 4 12 0 0 1 ）
摘 要：通过实验研究了YAG 激光切割单晶硅的工艺，分析了激光功率、切割速度、辅助气体以及焦点位
置对最终切割质量的影响，并对存在的问题提出了改进的建议及方法，为实际应用中参数设置和工艺改进提供了
参考，使激光切割工序取得良好的效果。
关键词：激光切割；YAG 激光；单晶硅
中图分类号： ； 文献标识码： 文章编号：
TN304.05 TN205 A 1671-8410(2010)03-0001-04
Research of the Cutting Technology on Silicon Wafer by YAG Laser
ZHU Wei-wei
(Zhuzhou CSR Times Electric Co.,Ltd., Zhuzhou, Hunan 4 12001, China)
Abstract: Cutting technology on silicon wafer by YAG laser is experimentally investigated. Influences of laser power, cutting velocity,
assistant gas and fatal point on the final cutting quality are analyzed. Suggestions and methods of improvement for the subsistent problems are
further proposed, which provides a reference for the parameter set and technology amelioration in applications, and making the laser-cutting
procedure achieve good effect.
Key words: laser cutting; YAG laser; silicon wafer
冲波激光加工机，并且很快应用于切割工艺。 世纪
0 引言 20
70 年代中期，激光加工技术开始大规模被工业界接受。
随着电力电子技术应用的日益广泛，电力电子技
80 年代以后，激光切割工艺已进入美国、欧洲及日本等
术取得了较快的发展。特别是高压晶闸管的出现，电力
工业发达国家和地区的生产流水线。我国也于 世纪
20
电子技术更加受到人们的广泛关注。激光切割作为电
60 年代初研制出首台激光器，但产业化步伐较慢，直到
力电子技术中的一道重要工序，其成品率直接影响整
世纪 年代，激光加工工艺才真正进入我国的工业
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