学片状聚吡咯氧化石墨烯复合材料的制备及电化性能.pdfVIP

04046 2015 4 (46) 年第 期 卷 文章编号:100 1-9731 (20 15)04 -04046-05 * / 片状聚吡咯 氧化石墨烯复合材料的制备及电化学性能 ， ， ， ， ， 韩永芹 郭 义 申明霞 段鹏鹏 曾少华 袁宗阳 ( ， 210098) 河海大学力学与材料学院材料系 南京 2 － : (10 ℃ ) GO sp 摘 要 通过原位聚合在低温条件下 制备 量羟基与环氧基团以及位于 片边缘 杂化碳原 (PPy )/ (GO) GO 具有片状微结构的聚吡咯 氧化石墨烯 子上大量的羧基与羰基官能团使 很容易分散于水 ， (FT-IＲ)， ［5-6］。 ， GO 复合材料 利用傅里叶红外光谱仪 扫描电子 中 同时 这些含氧官能团使 片可与小极性分 (SEM) ， GO 。 显微镜 对复合材料进行结构表征的基础上 利 子或聚合物产生强烈相互作用而形成 复合材料 用循环伏安(CV)、 (GC)、 ，PPy / GO 恒流充放电 电化学阻抗技术 目前 复合材料的研究主要集中于复合 (EIS)测试复合材料的电化学性能。FT-IＲ 结果表明 材料导电性能的提高［7-10］，很少有关于复合材料比电 复合材料中GO 与PPy 存在相互作用;SEM 结果表明 容提高的报道，我们的前期研究工作表明投料比对 复合材料显示为亚微米片状结构形貌;CV 、GC 、EIS 电 PPy / GO 复合材料的电化学性能有一定影响［11］，但 ， ， PPy / GO 。 化学分析表明 与纯聚吡咯及氧化石墨烯相比 复合材 复合材料的比电容仍有待提高 本文采用原 － 。 1 A / g (10 ℃ ) 料显示出优越的电容特性 当电流密度保持在 位氧化聚合法在低温 条件下制备了具有片状 ， 319 F / g ， GO (9 F / g) PPy / GO ， 时