薄栅CMOS的可靠性模型.pdfVIP

第 卷 增刊 半 导 体 学 报 ２７ 犞狅犾．２７ 犛狌 犾犲犿犲狀狋 　 　 　 　 　 　 狆狆 年 月 ， ２００６ １２ 犆犎犐犖犈犛犈犑犗犝犚犖犃犔犗犉犛犈犕犐犆犗犖犇犝犆犜犗犚犛 犇犲犮．２００６ 薄栅犆犕犗犛的可靠性模型  廖京宁 郭春生 刘鹏飞 吴月花 李志国 　 　 　 　 （北京工业大学电子信息与控制工程学院，北京 １０００２２） 　 摘要：介绍了两种与栅氧化层失效有关的模型以及用于估计芯片寿命的热阻模型 随着晶体管特征尺寸的减小， ． 现有的栅失效模型不能提供准确的计算和预测，因此提出了新的适用于小尺寸晶体管的栅失效模型 同时提出了 ． 用于评价芯片寿命的热阻和结温的估计模型． 关键词：犜犇犇犅；热载流子；热阻；结温 ： 犈犈犃犆犆 ２５７０犇 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ） 犜犖４３ 犃 ０２５３００２５７０５ 　　　 　　　 离子损伤，氧化层中内部机械应力损伤、玷污，热载 １ 引言 流子损伤，或者是离子注入产生的损伤引起的． 　 目前 模型（空穴击穿模型）和 ／ 模型（热化 犈 １犈 为了提高微处理器和存储器的性能，减小晶体 学击穿模型）被广泛应用于氧化层厚度大于 ５狀犿的 管特征尺寸是最主要的方法．犆犕犗犛犐犆工艺尺寸每 内在栅氧化层可靠性预测 这两种模型都是与 ． 犜犇 减小 ３０％，就会提高最高时钟频率 ４３％，同时减小 物理本质有关 模型是以热化学为基础 模 犇犅 ．犈 ．犈 门延迟 ３０％，成倍增加器件的集成度；减小 ３０％的 型的表达式如（）式所示： １ 寄生电容，分别降低能耗和每次门状态转换时的动 犈犪 （ ） （ ） （）