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第一章 衬底制备 主 讲：毛 维 mwxidian@126.com 西安电子科技大学微电子学院 第一章 衬底制备 1.1 衬底材料 1.1.1 衬底材料的类型 1. 元素半导体 Si、Ge、C（金刚石） 2. 化合物半导体 GaAs、SiGe 、SiC 、GaN、 ZnO 、HgCdTe 3. 绝缘体 蓝宝石 表1 周期表中用作半导体的元素 Ⅱ族 Ⅲ族 Ⅳ族 Ⅴ族 Ⅵ族 第2周期 B C N 第3周期 Al Si P S 第4周期 Zn Ga Ge As Se 第5周期 Cd In Sn Sb Te 第6周期 Hg Pb 元素半导体 Si： ①占地壳重量20%-25%； ②单晶直径最大，目前16英吋（400mm）,每 3年增加1英寸； ③SiO2作用:掩蔽膜、钝化膜、介质隔离、绝 缘介质（多层布线）、绝缘栅、 MOS电容的介质材料； ④多晶硅（Poly-Si）：栅电极、杂质扩散 源、互连线（比铝布线灵活）； 元素半导体 Ge： ①漏电流大：禁带宽度窄，仅0.66eV(Si:1.12eV)