二氧化硅超薄膜的隧道显微镜和隧道谱研究.pdfVIP

第 22卷 第 3期 电 子 显 微 学 报 V01．22．No．3 2003年 6月 Journ~ ofChineseElectronMicroscopySociety 2o03．6 文章编号 ：1000．6281(2003)03．0237．05 二氧化硅超薄膜的扫描隧道显微镜和扫描隧道谱研究 薛 坤 ，许建斌 ，贺仲卿，徐明生，安 锦 ，张荣耀 (香港 中文大学 电子工程系，香港) 介质景卡才料的．面二氧行．了硅研 ：并。 =作『为绝缘 可由sTM图像判定。二氧化硅超薄膜制备是将高 ¨ ． 最 ! 厚， 纯氧气通入超高真空腔体内，清洁硅样品加热至 n m 。 w砒 如e 等 人 用 道 显 75 ，氧化 ，三 。化 膜。 厚’度 ’超 ：ScanningTunn儿eingM拙icroscope 篓 、 。 。m， 三个子。。 mlg氧化 硅 超薄 测