4-集成电路器件工艺.ppt

典型1P2M n阱CMOS工艺主要步骤 * P阱CMOS芯片剖面示意图 * N阱CMOS芯片剖面示意图 * （1） （2） （3） （4） P阱注入 N阱注入 衬底准备 光刻P阱 去光刻胶,生长SiO2 双阱CMOS工艺 * （5） （6） （7） （8） 生长 Si3N4 有源区 场区注入 形成厚氧 多晶硅淀积 * （9） （10） （11） （12） N+注入 P+注入 表面生长SiO2薄膜 接触孔光刻 * （13） 淀积铝形成铝连线 * CMOS的主要优点是集成密度高而功耗低，工作频率随着工艺技术的改进已接近TTL电路，但驱动能力尚不如双极型器件，所以近来又出现了在IC内部逻辑部分采用CMOS技术，而I/O缓冲及驱动部分使用双极型技术的一种称为BiCMOS的工艺技术。 BiCMOS工艺技术大致可以分为两类：分别是以CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺和以双极工艺为基础的BiCMOS工艺。一般来说，以CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺对保证CMOS器件的性能比较有利，同样以双极工艺为基础的BiCMOS工艺对提高保证双极器件的性能有利。影响BiCMOS器件性能的主要部分是双极部分，因此以双极工艺为基础的BiCMOS工艺用的较多。 4.4 BiCMOS工艺 * BiCMOS工艺下NPN晶体管的俯视图和剖面图 以P阱CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺 缺点: 基区厚度太大, 使得电流增益变小 以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺 优缺点: 基区厚度变薄, 但是集电极串联电阻还是很大 改进：N阱下设置N+隐埋层 , 并P型外延衬底, 目的：减小集电极串联电阻，提高抗闩锁性能 N阱CMOS-NPN外延衬底结构 以双极性工艺为基础的BiCMOS工艺 掩埋层 掩埋层 改进: 可提高CMOS器件的性能 以双极工艺为基础的双埋层双阱Bi-CMOS工艺的器件结构剖面图 本章练习题 什么是MOS工艺特征尺寸？ 为什么在栅长相同的情况下NMOS管速度要高于PMOS管？ 简述CMOS工艺基本工艺流程。 常规N阱CMOS工艺需要哪几层掩模？每层掩模分别有什么作用？ * * * 1、P+多晶硅用于基极的接触与连接 2、N+多晶硅用于发射极的接触 3、基极和发射极采用自对准（多晶硅） 4、基极P+低欧盟区利于减小体电阻 5、氧化层做隔离，减小寄生电容，防止寄生MOS效应 * * 在栅极电压作用下，漏区和源区之间形成导电沟道。这样，在漏极电压作用下，源区电子沿导电沟道行进到漏区，产生自漏极流向源极的电流。改变栅极电压，控制导电沟道的导电能力，使漏极电流发生变化。 * * * GaAs 基 HBT InP 基 HBT Si/SiGe的HBT HBT工艺 * 4.2 MESFET和HEMT工艺 欧姆 欧姆 肖特基 金锗合金 GaAs工艺：MESFET * MESFET 增强型和耗尽型 减小栅长 提高导电能力 * 大量的可高速迁移的电子 GaAs工艺：HEMT