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集成电路工艺原理 第一章 芯片制造相关概念简述 本章概要 概述 半导体材料 晶圆制备 污染控制 工艺良品率 1.1 概述 1.1 概述 1.1 概述 1.1 概述 1.1 概述 1.1 概述 1.1 概述 1.1 概述 1.2 半导体材料 1.2 半导体材料 1.2 半导体材料 1.2 半导体材料 1.2 半导体材料 1.2 半导体材料 1.2 半导体材料 1.3 晶圆制备 1.3 晶圆制备 1.3 晶圆制备 1.3 晶圆制备 1.3 晶圆制备 1.3 晶圆制备 1.3 晶圆制备 1.3 晶圆制备 1.3 晶圆制备 1.3 晶圆制备 1.3 晶圆制备 1.3 晶圆制备 1.3 晶圆制备 1.3 晶圆制备 1.4 污染控制 1.4 污染控制 1.4 污染控制 1.4 污染控制 1.4 污染控制 1.4 污染控制 1.4 污染控制 1.4 污染控制 1.4 污染控制 1.4 污染控制 1.4 污染控制 1.4 污染控制 1.4 污染控制 1.4 污染控制 1.4 污染控制 1.5 工艺良品率 1.5 工艺良品率 1.5 工艺良品率 1.5 工艺良品率 1.5 工艺良品率 1.5 工艺良品率 晶片加工-3 抛光 普通的磨片完成过后硅片表面还有一个薄层的表面缺陷。现在的抛光是机械加化学，经过抛光工艺后使硅片表面真正达到高度平整、光洁如镜的理想表面。 污染类型 半导体器件极易受到多种污染物的损害这些污染物主要可归纳为以下4类： 微粒 金属离子 化学物质 细菌 从LSI出现以来，污染控制就突现出来它的重要性。如今污染控制本身已成为一门科学，是制造半导体器件必须掌握的关键技术之一。 微粒污染 微粒 器件对污染物的敏感度取决于特征图形的尺寸和晶体表面沉积层的厚度。由于特征图形尺寸越来越小，膜层厚度越来越薄，所允许存在的微粒尺寸也必须控制在更小的尺度上。经验告诉我们，微粒的大小要小于器件上最小特征图形尺寸的1/10。（就是说直径为0.03微米的微粒将会损坏0.3微米线宽大小的特征图形）否则会造成器件功能的致命伤害。 金属离子污染 金属离子 无论是单晶制造还是工艺过程中人为掺杂，在引入有用杂质的同时也不可避免地引入一些其他有害的杂质，特别是金属杂质。并且是以离子形式出现的而且是移动的。当这些移动的离子超过一定数量时，同样会引起器件的失效。因此，这些可移动的离子必须控制在一定范围内。 可移动污染物问题特别是对MOS器件影响更为明显，因为MOS器件是表面电荷控制器件。 钠是最常见的可移动离子污染物，而且移动性最强，因此，对钠的控制也成为芯片生产的首要目标。 污染类型 化学品 器件生产过程中化学品的应用是不可避免的，有些化学品将导致晶片表面受到不必要的刻蚀，或者生成无法除去的化合物等，氯就是其中之一的污染物，所以，工艺过程中用到的化学品氯的含量必须受到严格控制。 细菌 主要来源于水中，是一种生成物。细菌一旦形成，会成为颗粒状污染物或给器件表面引入不希望的金属离子。 污染的影响 这4种污染物会在以下3个特定的功能领域对工艺过程和器件产生影响。它们是： 器件性能 器件可靠性 器件工艺良品率 污染源 由于固态器件的要求较高，所以就决定了它的洁净度要求远远高于大多数其它工业的洁净程度。实际上芯片生产过程中任何与产品相接触的物质都是潜在的污染源。主要有： 空气 厂房设备 工作人员 使用的水 化学溶剂 化学气体 静电 污染源：空气-1 普通空气中含有许多污染物，主要是可在空气中传播的颗粒（一般是微粒或浮尘），颗粒的相对尺寸如下图所示（单位是：微米）。 污染源：空气-2 洁净工作室的洁净度就是由空气中的微粒大小和微粒含量决定的。 美国联邦标准209E规定空气质量由区域空气级别数来决定的。标准按两种方法设定，一是颗粒的大小，二是颗粒的密度。 级别数是指在一立方英尺中含有直径为0.5微米或更大的颗粒总数。 一般城市空气中通常包含烟、雾、气，每立方英尺多达500万个颗粒，所以是500万级。 污染源：空气-3 右图显示了标准209E规定的颗粒直径与颗粒密度的关系。 污染源：空气-4 不同环境下洁净级别数与对应的颗粒大小 污染源：空气-5 净化空气的方法 洁净室的设计是要使生产免污染芯片的能力更完整化。设计时的主要思路是保持加工车间中空气的洁净。另外提高生产自动化水平也是降低污染的一种有效方法。共有4种不同的洁净室设计方法： 具体就不作详细的介绍，下面通过几组图片的浏览使大家有个初步的印象。 洁净工作台 隧道型设计 完全洁净室 微局部环