数电第2章课件.ppt

TTL与非门内部电路图 （1）输出低电平时形成的灌电流 IOL （2）输出高电平时形成的拉电流IOH （1）输入低电平时形成的拉电流IIL （2）输入高电平时形成的灌电流IIH 2．或非门 3．与或非门 一般TTL门的输出端不能直接相连。否则可能短路。 （1）当输出高电平（拉电流负载） RP不能太大，要保证输出电压VOH（min） 74HC04 六反向器 （2）或非门 （3）带缓冲级的门电路 为了稳定输出高低电平，可在输入输出端分别加反相器作缓冲级。下图所示为带缓冲级的二输入端与非门电路。 L= 当EN=1时，TP2和TN2同时截止，输出为高阻状态。 所以，这是一个低电平有效的三态门。 4 ．CMOS传输门 工作原理：（设两管的开启电压VTN=|VTP|） （1）当C接高电平VDD， 接低电平0V时，若Vi在0V～VDD的范围变化，至少有一管导通，相当于一闭合开关，将输入传到输出，即Vo=Vi。 （2）当C接低电平0V， 接高电平VDD，Vi在0V～VDD的范围变化时，TN和TP都截止，输出呈高阻状态，相当于开关断开。 （b）用TTL门电路驱动5V低电流继电器。 （2）对于或非门及或门，多余输入端应接低电平，比如直接接地；也可以与有用的输入端并联使用。 3. CMOS反相器的主要特性 CMOS反相器的电压传输特性如图所示。 CMOS反相器的阈值电压为UT≈1/2UDD。在输入信号变化时，过渡区变化陡峭，所以低电平噪声容限和高电平噪声容限近似相等，约为0.45UDD。因此噪声容限大，抗干扰能力强。 CMOS反相器的电流传输特性 CMOS反相器的电流传输特性如图3-22所示，在AB段由于V1截止，阻抗很高，所以流过V1和V2的漏电流几乎为0。 在CD段V2截止，阻抗很高，所以流过V1和V2的漏电流也几乎为0。只有在BC段，V1和V2均导通时才有电流iD流过V1和V2，并且在UI=1/2UDD附近，iD最大。 从以上分析看出，CMOS电路有以下优点： 1 动态功耗低。单个门电路的功耗仅为几mW。 2 抗干扰能力强。为了提高CMOS门电路的抗干扰能力，还可以通过适当提高UDD的方法来实现。 3 电源电压工作范围宽，电源利用率高，基本上不需稳压。标准CMOS电路的电源电压范围很宽，可在3~18V范围内工作。而且输出电压摆幅大，UOH=UDD, UOL=0V，因此电源利用率很高。  4 输入阻抗高。等效输入阻抗高103~1011Ω，因此CMOS集成电路几乎不消耗驱动电路的功率。同时输出摆幅大，所以易于被其他电路所驱动，也容易驱动同类型的电路或器件，扇出能力强。 其他的CMOS门电路 1．CMOS与非门和或非门电路 （1）与非门 3 ．CMOS三态门 工作原理： 当EN=0时，TP2和TN2同时导通，为正常的非门，输出 CMOS逻辑门系列 （1）基本的CMOS——4000系列。 （2）高速的CMOS——HC系列。 （3）与TTL兼容的高速CMOS——HCT系列。 各系列CMOS电路的技术参数 25~100 10 2.5 1.2 3~18 2~6 4000B 74HC/ 传输延迟/ns每门 功耗/mW每门 电源电压/V 逻辑系列 2.5 集成门电路使用中的实际问题 1. TTL电路与CMOS电路的接口 TTL电路和CMOS电路接口时，无论是用TTL电路驱动CMOS电路还是用CMOS电路驱动TTL电路，驱动门都必须为负载门提供合乎标准的高、低电平和足够的驱动电流。 驱动门的VOH（min）≥负载门的VIH（min） 驱动门的VOL（max）≤负载门的VIL（max） 驱动门的IOH（max）≥负载门的IIH（总） 驱动门的IOL（max）≥负载门的IIL（总） TTL、CMOS电路的输入、输出特性参数 1) 用TTL电路驱动CMOS电路 ①如果CMOS电路的电源较高，TTL的输出端接一上拉电阻，但需使用集电极开路门电路，如图所示。另一种方案是采用一个专用的CMOS电平移动器(例如40109)，它由两种直流电源UCC和UDD供电，电平移动器接收TTL电平(对应于UCC)，而输出CMOS电平(对应于UDD)，电路如图所示。 TTL与CMOS之间的电平移动 (a) 采用TTL OC门；(b) 采用专用电平移动器 ② 用TTL电路驱动HCT系列的CMOS门电路时，因两类电路性能兼容，故可以直接相接，不需外加元件和器件。 2) 用CMOS电路驱动TTL电路 由于CM