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扩散硅力敏器件力学模型的参数化实现 张治国 囊 沈阳仪器仪表工艺研究所110043 籀要在硅力敏传感器的设计中首先要了解器件柏表面应力分布，现普追采用有限元分析技术。 由于嚣件结构的优化须经过多次的建模计算，丽手工建模费时费力，效率低且掇易出错。本文介 绍了一种扩散硅力敬器件力学模型的参数化实现方法．采用这种方法已经实现r多种形式器件的 参数化模型，并直用于力敏器件的计算机辅助设计，实用证明该方法简便、碧行．可极大地握商 建模的效率及准确性． 一、引 言 半导体单晶硅受压力作用时，电阻率要发生变化，这个现象称为压阻效应。利 用硅的压阻效应，通过半导体平面工艺，沿一定晶向，在硅片的一定位置上注入杂 质，形成四个敏感电阻，连接成惠斯通电桥，将硅片加工成特定形状的膜片，就作 成了．扩散硅压力传痔器的芯片。该芯片经封接、封装等后部工序制成压力传感器。 在传感器测量过程中，无论是用于表压、差压还是绝压测量，其输入量都可表 示为△P。传感器的硅杯结构系统将输入压力△P转化为相应的应力变化△o。传感 器的压阻转换系统将应力变化转化为力敏电阻的变化△R。惠斯通电桥系统将电阻的 变化转化为输出电压的变化△V。其整个1=作过程如图1所示： 图1：力敏器件工作信号传递过程 毒 由图可知，在硅力敏传感器的设计中首先要了解器件结构的力学性能，比如砟 芯片表面应力分布等。应力场的分布规律由弹性力学的微分方程来描述，而这样微 分方程只有在～些特殊的情况下。在作了许多的很多假设，忽略了很多的冈索的条 件下才能得到解析解。对于多数复杂的实际结构得不§0解。 璺 有限元法对予完成复杂结构的分析是一种十分有效的方法。有限元法是利t【}；I离 散化将无限自由度的连续体力学问题变为有限单元节点参数的计算，虽然它的解是 近似的，但适当选择单元的形状与大小，可使近似解达到满意的精度。有限元法不 仅适应于复杂的凡何形状和边界条件．而且能处理各种复杂的材事斗性质问题，例如 STC’99 材料的各向异性、非线性、随时闻或温度变化的材料性质问题。另外它还可以解决 非匀质连续介质的问题．其应用范围极为广泛。故此，有限元法在力敏传感器的分 析设计中已经得到普遍应用。现已经有很多商品化通用有限元软件可用，如SAP、 ● NASTRAN、ANSYS等． 采用有限元法进行结构分析过程包括：模型建立(包括几何模型和模型离散)、 分析计算积结果输出等步骤。对有限元模型的分析计算通常是用诸如NASTRAN和 ANSYS之类标准程序寐进行的。这一步骤是高度自动化的，而且作为商阁软件其可 ● 靠性都是通过验证的。因而，分析的成败取决于所建立的模型的准确性。尽管几何 构型及其离散可以由计算机图形前处理来帮助连接的芷确性。但是模型的简化、单 元的选择、形状及尺寸仍需使用者来规定。在模型建完后，还需检查有缀元模犁是 否与原设计模型几何特性符合，即模型的骏证问题． 由于手工建模费时费力，效率低且极易出错，而在器件的设计过程中，结构的 优化须经过多次的建模计算，因此．有必要建立器件结构的参数化模型，使分析设 计人员与烦琐的建模细节隔离开．把更多的时间与精力用于结构的选择与参数的优 化上． 本文介绍～种扩散硅力敏器件力学模型的参数化实现方法。采用州SYS有限元 分析软件．本方法的具体实现过程：(1)、首先提取可以描述器件的参数(2)、在有 限元软件的翦处理中建立器件的初始模型(3)、用APDL语言建立参数化建模程序。