聚_3_4_乙撑二氧噻吩_的二次掺杂改性的的研究.pdfVIP

SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS Vol. 31 No.6 Dec. 2010 (3,4) 李宝铭, 郑玉婴, 张 伟 ( , 350108) : 利用乙二醇( EG) 对聚( 3, 4乙撑二氧噻吩) ( PEDOT ) 进行二次掺杂改性, 考察了二 次掺杂PEDOT 薄膜的电学性能表面形貌 分子组成, 并且对PEDOT 的二次掺杂改性机理进行 了探讨研究发现, 未进行二次掺杂时, PEDOT 导电颗粒因被绝缘的聚苯磺酸( PSS) 包埋而不能 彼此接触, 电荷在 PEDOT 薄膜中的传导由隧道效应占主导, 薄膜的电导率较低二次掺杂后, PEDOT 与PSS 发生相分离, 同时PSS 的相对含量降低, PEDOT 导电颗粒间形成导电通道, 薄膜 的电导率较高 : ( 3, 4) ; ; ; : O631 : A : 100 1- 5868( 2010) 06- 0876- 04 Studyon SecondaryDopingModificatio