2TF一种协同考虑过硅通孔和热量的三维芯片布图规划算法.pdfVIP

第5期 电 子 学 报 vd．40No．5 2012年5月 A叽AⅡ正am_oNIa～SlNICA M计2D12 2TF：一种协同考虑过硅通孔和热量的 三维芯片布图规划算法 王伟1一，张欢1，方芳2，陈田1一，刘 军1，李欣3，邹毅文1 (1．合肥工业大学计算机与信息学院．安徽合肥230009；2．合肥工业大学管理学院，安徽合肥230009； 3．情感计算与先进智能机器安徽省重点实验室，安徽合肥230009) 摘要： 三维芯片由多个平面器件层垂直堆叠而成，并通过过硅通孔(TSv，nm，小SiliconⅥa)进行层间互连。显 著缩短了互连线长度、提高了芯片集成度．但三维芯片也带来了一系列问题，其中单个过硅通孔在目前的工艺尺寸下 占据相对较大的芯片面积，且其相对滞后的对准技术亦降低了芯片良率，因此在三维芯片中引入过多的过硅通孔将增 加芯片的制造和测试成本．垂直堆叠在使得芯片集成度急剧提高的同时也使得芯片的功耗密度在相同的面积上成倍 增长，由此导致芯片发热量成倍增长．针对上述问题，本文提出了一种协同考虑过硅通孔和热量的三维芯片布图规划 算法2TF，协同考虑了器件功耗、互连线功耗和过硅通孔数目．在MCNC标准电路上的实验结果表明，本文算法过硅通 孔数目和芯片的峰值温度都有较大的降低． 关键词： 三维芯片；布图规划；过硅通孔；热量；互连线功耗 中图分类号：TP391 文献标识码： A 文章编号：0372-2112(2012)05-0971-06 2TF：ACollaborativeConsideredTSVandThermal Floorplanning for Three—Dimensional Algorithm Chip WANG auanI Yi．wenl Weil,3,ZHANG Tianl,3,IJUJunl，LIⅪn3，ZOU FANG跏孑，CHEN (1．洲of凸啤№and如hw咖，哟留Unim啦y旷Todmdogy，趣廊，枷2300∞。China； 230009，‰；3．Anhu／Pna《neeJI何血6D，啵Iry 2．hoot矿“Ⅲ彬m删，删筒踟洳r嘶矿孔由蝴，均瓴，Anhul 矿锄钯妇螂嘶andadmuo缸Intd／／gnuMachme。地崩Un／m妇yo／Tm|lndoSy，均白，^，蚵230009．CA／m) issmlcaa-ed statical device isusedTSV$ ,,Abstract：‰dingnsioml(3D)chipbyvestallyrrn】lti-planarlayers，whichby Silicon verticaliiltgico[wl枷onbe嗍diffot衄t reducesthewire andincreases (m-oughVias)for signmcal】dy leIlgm layers，∞it of