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分析光纤中的传输,可用两种理论:射线光学(即几何光学)理论和波动光学理论。
根据光纤横截面上折射率分布的情况来分类,光纤可分为阶跃折射率型和渐变折射率型。
数值孔径NA= ,表示光纤的集光能力。
最大时延差
L为光纤的长度
相对折射率差
单位长度光纤的最大群时延差
损耗和色散是光纤的两个主要的传输特性。
色散可分为:模式色散、材料色散、波导色散。
采用内包层的作用:1减小基模的损耗,2得到纤芯半径较大的单模光纤。
0.85m,1.3m和1.55m左右是光纤通信中常用的低损耗窗口。
色散可分为模式色散,材料色散以及波导色散。
在所有的导模中,只有HE11模式的截止频率为0,亦即截止波长为无穷大。HE11是任何光纤中都能存在、永不截止的模式,称为基模或主模。
最常用的光源是半导体激光器和发光二极管
用半导体激光器的原因:1)半导体光源体积小;2)发射波长适合在光纤中低损耗传输;3)可以直接进行强度调制;4)可靠性较高。
原子中的电子可以通过和外界交换能量的方式发生量子跃迁,或称为能级跃迁,若电子跃迁中交换的能量是热运动的能量,称为热跃迁,若交换的能量是光能,则是光跃迁。
放大媒质:N2N1,受激辐射占主导地位,r(v)0,光波经过媒质时强度按指数规律增加,光波被放大。
的媒质是一中处于非热平衡状态下的反常情况,称之为粒子数反转或布居反转,这种媒质对应于激光型放大的情况。
在半导体物理中,通常把形成共价键的价电子所占据的能带称为价带,把价带上面邻近的空带(自由电子占据的能带)称为导带。导带和价带之间,被宽度为Eg的禁带所分开。原子的电离以及电子与空穴的复合发光等过程,主要发生在价带和导带之间。
光子能量满足 Eghve0V 的光子有放大作用。
对大量原子组成的体系来说,将同时存在着光的自发发射、受激辐射、和受激吸收3个过程。
自发发射:处于高能级E2上的电子按照一定的概率自发地跃迁到低能级E1上,并发射一个频率为v、能量为hv=E2—E1的光子,这个过程称为光的自发发射过程。
自发发射的光是一种非相干光。
受激辐射:处于高能级E2上的电子在光场的感应下(感应光子的能量为hv=E2—E1)发射一个和感应光子一模一样的光子,而跃进到低能级E1,这个过程称为光的受激辐射。
受激吸收:处于高能级E1上的电子在感应光场的作用下(感应光子的能量为hv=E2—E1),吸收一个光子而跃迁到高能级E2,这个过程称为光的受激吸收过程。
受激跃迁(包括受激吸收和受激辐射)和自发发射区别:1.自发发射只存在从高能级到低能级的过程,从E1到E2自发跃迁迁率为零;受激跃迁同时存在着E2E1和E1E2两个过程,且受激吸收概率与受激辐射概率相同。2.自发跃迁概率和光场强度无光,而受激跃迁概率和感应光场的强度成正比。
自发发射、受激辐射、和受激吸收对应的器件分别是:发光二极管、半导体激光器和光电二极管。
产生稳定激光的两个条件:1)有源区里产生足够的粒子数反转分布;2)存在光学谐振机制,并在有源区里建立起稳定的振荡。
半导体材料的禁带宽带(Eg)决定了激光器的发射波长。
制作半导体激光器的材料,是直接带隙的半导体材料
直接带隙是指导带的最低点和价带的最高点对应着相同的波数k(波矢量的模)。
发光二极管基本性质:发射谱线和发散角,响应速度,热特性,优点(寿命长、可靠性高、调制电路简单、成本低)。
激光输出与注入电脉冲之间存在一个时间延迟,称为电光延迟时间。
电流脉冲注入激光器以后,输出光脉冲表现出衰减式的振荡,称之为张弛振荡。
某些激光器在某些注入电流下发生的一种持续振荡,称为自脉动现象。在一些功率-电流曲线有明显扭折的激光器中,常出现自脉动现象。
光调制可分为直接调制和间接调制。 直接调制方法仅适用于半导体光源(LD和LED),这种方法是把要传送的信息转变为电流信号注入LD或LED,从而获得相应的光信号,所以是采用电源调制方法。IM:光强度调制
光源的各种调制方法
调制方式 调制法 所利用的物理效应
间接调制 电光调制 电光效应 磁光调制 磁光效应 声光调制 声光效应 其他 电吸收效应,共振吸收效应 直接调制 电源调制
消光比是指激光器在全“0”码时发射的功率与全“1”码时发射的功率之比,即
或
光源的消光比直接影响接收机的灵敏度,为不使接收机灵敏度明显下降,消光比一般应小于10%。
激光发射极组要组成部分 数字信号入线路编码调制电路(控制电路)LD光信号
线路编码作用:将数字信号转换成适合在光纤中传输的形式。
选择直流预偏置电流应考虑(兼顾到电光延迟、张弛振荡、码型效应以及激光器的消光比、散粒噪声):1 加大直流偏置电流使其逼近阈值,可以大大减小电光延迟时间,同时使张弛振荡得到一定程度的抑制。
较小的调制脉冲电流就能得到足够
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