电工第一章【荐】.pptVIP

2. 截止区 IB＝0时，IC＝ ICEO ≈0 UBE＜0.5V时，晶体管进入截止区 为使晶体管可靠截止，一般使UBE≤0V 发射结、集电结均反向偏置。 截止区 10 25 20 15 5 3.饱和区 当UCE＜UBE时，集电结 正偏，晶体管处于饱和 状态。 饱和区 IC≠βIB ， IB与IC不成 比例 ，放大倍数β不适 用于饱和区。 UCE＝UCES（饱和压降） 硅管 0.3V 锗管 0.1V 发射结、集电结正向偏置； 三极管如同工作在短接状态 10 25 20 15 5 测量三极管三个电极对地电位如图 试判断三极管的工作状态。 放大 截止 饱和 例 三个晶体管动工作在放大区，测得管子三个电极的电位分别如下。试判断各三极管的类型、材料和电极。 ①2V ②2.6V ③6V ①2.2V ②5.4V ③6V ①-4V ②-1.2V ③-1.5V 1、NPN型硅管①发射极 ②基极 ③集电极 解 例 2、PNP型硅管①集电极 ②基极 ③发射极 3、PNP型锗管①集电极 ②发射极 ③基极 2、晶体管处于饱和状态时，集电结和发射结的偏置情况为（ ）。 (a)发射结反偏，集电结正偏 (b)发射结、集电结均反偏 (c)发射结、集电结均正偏 04年选择题 1、工作在饱和状态的PNP型晶体管，其三个极的电位应为（ ）。 (a) VEVB，VCVB，VEVC (b) VEVB ， VC VB ， VE VC (c)??VB VE， VB VC ， VE VC 02年选择题 (a) (c) 03年选择题 输出电压的最大值？ 1、电流放大系数 1.5.4 主要参数 一、直流参数 2、反向饱和电流ICBO 当发射极开路时，由于集电结处于反偏，集电区和基区中的少数载流子的漂移运动所形成的电流。 ICBO受温度的影响较大。在室温下，小功率锗管的ICBO约为几微安到几十微安，小功率硅管的ICBO在1μA以下。 N P N ＋ － ICBO IE=0 3、穿透电流ICEO 当基极开路时，由于集电结处于反偏，发射结处于正偏时的集电极电流，也称穿透电流。 由于ICBO受温度影响很大，ICBO愈大、 愈高的管子，稳定性愈差。 ICEO N P N ＋ － ICEO IB=0 在估算时 认为 二、交流参数 1、电流放大系数 2、特征频率fT 当? 下降到1时所对应的频率 1、 集电极最大允许电流ICM IC超过一定值时，晶体管的β值要下降，当β值下降到正常值的2/3时的IC称为集电极最大允许电流 ICM ，当电流 ICM时，管子性能在显著下降的同时，还可能损坏管子。 三、极限参数ICM，U(BR)CEO，PCM （决定三极管的工作区域） 2、反向击穿电压（U(BR)XXO） (1) U(BR)CBO—— E极开路时的集电结击穿电压。 (3) U(BR) EBO—— (2) 集—射极反向击穿电压U(BR)CEO 当基极开路时，加在发射极与集电极之间的最大允许电压称为集—射极反向击穿电压，使用时 UCEOU(BR)CEO时，ICEO突然大幅度上升，晶体管将击穿而损坏。 3、 集电极最大允许耗散功率PCM IC在流经集电结时将产生热量，使结温升高，为了使结温不超过允许的数值，规定了集电极的最大允许耗散功率，超过此值会使管子性能变坏或者烧坏。 可在输出特性曲线上作出 PCM曲线，为一双曲线，双曲线上方 UCE IC PCM，下方耗散功率小于PCM ，称安全工作区。 国家标准对半导体三极管的命名如下: 3 D G 110 B 第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、 C硅PNP管、D硅NPN管 第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、 G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管 用字母表示材料 用字母表示器件的种类 用数字表示同种器件型号的序号 用字母表示同一型号中的不同规格 三极管 1.5.5半导体三极管的型号 1、PN结是现代半导体器件的基础，一个PN结可制成一个二极管，两个PN结即可形成双极型三极管，多于两个PN结的器件，根据当前微电子技术的发展趋势，预计今后一段时间内，硅工艺和器件仍将占有主导地位； 2、半导体二极管的基本性能上单向导电性，利用它的这一特点，可用于整流，限幅等，特殊的二极管如稳压管，则可用于稳压； 3、半导体三极管是一种电流控制器件，即通过基极电流或射极电流来控制集电极电流。要注意，管子发射结必须正向偏置，而集电结必须反向偏置； 4、半导体二极管与三极管均为非线性的，属于非线性器件。 小