现代电力电子技术复习资料.docVIP

晶闸管的主要特点：脉冲电流控制开通，关断靠主电路；主要应用在低频开关、主电路有关断已导通晶闸管条件的场合；饱和压降很小；电流、电压耐量最大；目前利用8KV/3.5KA的光控晶闸管所构成的300MVA容量的电力变换装置是目前最大的电力电子装置； 门极可关断晶闸管GTO的主要特点： 电流控制开通和关断，但反向关断的触发电流比较大；饱和压降中等；开关速度中等；能控制的电流、电压较大；现今额定电流电压为6KA/6KV的GTO已在10MVA以上的大型电力电子变换装置中得到应用； 电力三极管(BJT)的主要特点: 是电流驱动器件，控制基极电流就可控制电力三极管的开通和关断；开关速度较快；饱和压降较低；有二次击穿现象；能控制较大的电流和较高的电压；电力三极管由于结构所限其耐压难于超过1500V，现今商品化的电力三极管的额定电压、电流大都不超过1200V、800A;已经淘汰 电力场效应晶体管P-MOSFET的主要特点: 单极性导电，开关速度快（最快）；电压控制器件；电流电压耐量小于BJT；导通后等效为一个小电阻；导通电阻具有正温度系数，便于并联使用；自然具有反并联二极管（体二极管） 绝缘门极双极型晶体管IGBT: 什么是擎住效应：Rbr上的电压过大，可使T2导通，使IGBT失去关断能力。 产生擎住效应的原因：集电极电流iC过大； 集电极电压过高；关断速度过快； IGBT 根据开通和关断所需门极（栅极）驱动信号的不同要求，开关器件又可分为电流控制型开关器件和电压控制型开关器件两大类：SCR、BJT和GTO为电流驱动控制型器件; P－MOSFET、IGBT均为电压驱动控制型器件。 三极管BJT要求有正的、持续的基极电流开通并保持为通态，当基极电流为零后BJT关断。为了加速其关断，最好能提供负的脉冲电流。 P－MOSFET和IGBT要求有正的持续的驱动电压使其开通并保持为通态，要求有负的、持续的电压使其关断并保持为可靠的断态。电压型驱动器件的驱动功率都远小于电流型开关器件，驱动电路也比较简单可靠。 什么是PWM整流电路?它和相控整流电路的工作原理和性能有何不同? 答:PWM整流电路就是采用PWM控制的整流电路,通过对PWM整流电路的适当控制,可以使其输入电流十分接近正弦波且和输入电压同相位,功率因数接近l。 相控整流电路是对晶闸管的开通起始角进行控制,属于相控方式。其交流输入电流中 含有较大的谐波分量,且交流输入电流相位滞后于电压,总的功率因数低。 PWM整流电路采用SPWM控制技术,为斩控方式。其基本工作方式为整流,此时输 入电流可以和电压同相位,功率因数近似为l。 PWM整流电路可以实现能量正反两个方向的流动,既可以运行在整流状态,从交 流侧向直流侧输送能量;也可以运行在逆变状态,从直流侧向交流侧输送能量。而且这两种方式都可以在单位功率因数下运行。 此外,还可以使交流电流超前电压,交流电源送出无功功率,成为静止无功功率发生器。或使电流比电压超前或滞后任一角度。