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第32 卷 第8 期 硅 酸 盐 通 报 Vol． 32 No． 8
2013 年8 月 BULLETIN OF THE CHINESE CEＲAMIC SOCIETY August ，2013
碳硅共掺杂AlN 晶体的电子结构分析
闫 征，武红磊，郑瑞生
(深圳大学光电工程学院，光电子器件与系统教育部重点实验室，广东省光电子器件与系统重点实验室，深圳518060)
摘要:采用基于密度泛函理论的全势线性缀加平面波法，研究了C∶ Si 共掺杂纤锌矿AlN 晶体的32 原子超胞体系，
得到了该体系的能带结构、电子态密度等性质，在此基础上分析了C∶ Si 共掺杂实现AlN 晶体p 型掺杂的机理。在
AlN 晶体的掺杂体系中，当C、Si 的浓度相等时，会形成C-Si 复合物，但施主和受主杂质相互补偿致使自由载流子
浓度较低;当提高C 的掺杂浓度时，会形成C -Si ，C -Si 等复合物，这些复合物的生成能够提高受主杂质的固溶度，
2 3
降低受主激活能，有效提高空穴浓度。分析表明:C∶ Si 共掺杂有利于获得p 型AlN 晶体。
关键词:AlN ; 第一性原理; 共掺杂; 电子结构
中图分类号:O47 1 文献标识码:A 文章编号:1001-1625 (2013)08-1468-04
Electronic Structure Analysis of C∶ Si Codoping AlN Crystals
YAN Zheng ，WU Hong -lei ，ZHENG Ｒui-sheng
(College of Optoelectronic Engineering ，Key Laboratory of Optoelectronic Devices and Systems of Ministry of Education ，
Key Laboratory of Optoelectronic Devices and Systems of Guangdong Province ，Shenzhen University ，Shenzhen 518060 ，China)
Abstract :The band structure and electronic properties of 32-atom wurtzite AlN supercell system with C∶
Si codoping is investigated by the full-potential linearized augmented plane wave method (FP-LAPW )
based on the Density Functional theory (DFT)． If the concentration of doped C atoms is equal with that of
Si atoms ，C-Si complexes will be formed ，but for the compensation effects ，the concentration of free
carriers will be very low ;as the concentration of C atoms is increased ，other complexes ，such as C -Si ，
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