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LIGA技术简介 LIGA是德文（Lithographie GaVanoformung Abformung）之缩写，译成英文则为Lithogrophy electroforming micro molding 译成中文则为X光光刻，微电铸，微成形也就是X光深刻精密电铸模造成形，通常简称为深刻电铸模造。 LIGA制程源自德国核能研究所，1980年初期所发展出来用以制造微结构的技术。它结X-Ray深刻术（Decp X-Ray Lithography）电铸翻模（Micro Electroform ing）及精密射出（Micro-Injection）热压成型（Micro-Embossing）技，适合量产高深宽比（Aspect Ratio）低表面粗糙度（Sub μm）拜直侧壁的微结构，且材料的应用范围广泛，可制造金属及塑料的微结构。 这些技术的特点使得LIGA被公认为最具有技术潜力开发高深宽比，高精度之2D,3D微结构之件及微系统。 一、LIGA之技术领域 LIGA之技术领域可分为三方面 (1)Lithography （光刻） (2)Electro deposition （电气沉积） Electroforming （电铸） Electroplating （电镀） (3) Micro Molding （微成形） Micro injection molding （微射出成形） 二、光刻（Lithography） 1、光刻之定义 光刻之定义，就是将掩膜（Photomark）上之图案（Pattem）转移至光阻（Photoresist）上面，由于光阻材料之正负性质不同，经显影（Develop）后，光阻图案会和光完全相同或呈互补。 2、光刻制程 光刻制程可说是半导体制程之关键制程，其步骤如下： 表面清洗 (2)涂底（Priming） (3)光阻覆盖 (4)软烤(Soft bake) (5)曝光 (6)烘烤 (7)显影 (8)硬烤 如图（一）图（二）所示： 表面清洗是去除芯片表面氧化物、杂质、油质及水分子 涂底是在芯片表面涂上一层HMDS化合物，以增加光阻与表面的附着力 光阻是一种感光材料，由感光剂（Sensitizer）树脂（Resin）及溶剂（Solvent）混合而成光阻应具备之特性： (1) 高光源吸收率 (2)高分辨率 (3)高无感度 (4)抗蚀剂性(5)高附着性 (6)低黏滞系数 (7)高对比 光阻材料有正负之分，正光阻受光照射后分子键被剪断 (Chan scission)因而易溶于显影液(Developer)，因而负光阻分子键则会产生交互链台(cross linking) 因而难溶于显影液 如图三所示： 3、光刻曝光法技术 光蚀刻光刻技术是用已制成图案之掩膜或光阻，选择性的保护工件表面后，以各种光源蚀刻除去未被掩膜或光阻色覆的部份，而得到欲加工之几何形状。依据便用光源之不同光蚀刻技术可分为四种： (1)光蚀刻（photolithography） (2)电子束蚀刻（Electron-Beam lithography） (3) X光蚀刻（X-ray lithography） (4)离子束蚀刻（Im-Beam lithography） 如图（四）所示： 集成电路的制作必须经过多次的光刻制程才能完成，因此在曝光前晶圆上前段制程已经存在的图案（Align）必须与掩膜上后段制程的图案彼此对准 目前工业界发展出三种型式的曝光系统： (1) 接触式（Contact） (2) 近接式（Proximity） (3) 投影（射）（Projection） 如图五所示 接触式曝光法分辨率高，可达1μm比较不会产生绕射现象，但光罩因直接放置在基板（Substrate）上面，不仅容易变形即且易受微粒污染，因此会影响光罩寿命，但因有曝光的间隔，容易造成绕射效应而使得图案转移的分辨率变差，仅为2μm。 投影式曝光法，利用光学镜片将聚焦的光罩投影在晶圆上，光罩上的图案通常放大为5倍或10倍，利用聚焦原理依适学比例缩小，然后照射在芯片的局部位置上，必须经过多次重复且步进的曝光方式，才能完成图案转移。不但设备昂贵而且耗时生产产量比前两种方式低，但分辨率可达0.5μm而且光罩不受微粒子污染，因而寿命长久。如图六所示： 随着技术进步，对分辨率及对准精确度之要求渐高，为避免芯片经过多次制程后，所产生之变异影响，遂采用同一芯片上分区曝光之方式（Step and Repeat），将一片芯片分为40~60次来曝光，如图(b) (c)以影像缩小之比例又分为１：１或M：１（目前以５：１最常用），１：１表示光罩图形经透镜缩影５倍后，成像于芯片上，目前做５：１之厂商很多，如Canon、 Nikon、 ASML.等 4、显影 曝光后，为使图案显现，必须移去不