60keV质子辐照对TiNi记忆合金薄膜马氏体相变影响.pdf

　第 16 卷 　第 11 期 强 激 光 与 粒 子 束 Vol. 16 ,No. 11 　 　2004 年 11 月 HIGH POWER LASER AND PARTICLE BEAMS Nov. ,2004 　 ( ) 文章编号 : 　100124322 2004 1121473204 60ke V 质子辐照对 TiNi 记忆合金薄膜 X 马氏体相变的影响 1 1 1 1 2 王治国 , 　祖小涛 , 　雷 　雨 , 　莫华强 , 　傅永庆 ( 1. 电子科技大学 应用物理系, 四川 成都 610054 ; ) 2. Department of Engineering , University of Cambridge , Trumpington Street , CB2 , 1PZ , Cambridge , UK 　　摘 　要 : 　利用磁控溅射的方法在氧化后的单晶 Si 基片上制备了 TiNi 形状记忆合金薄膜 ,利用示差扫描 ( ) + 量热法和原位 X 射线衍射研究了薄膜的马氏体相变特征。通过 60keV 质子注入 辐照 薄膜样品研究了 H 离 子对合金薄膜马氏体相变特征的影响 ,结果表明氢离子注入后引起了马氏体相变开始 M s 和结束点 Mf 以及逆 马氏体相变开始 A s 和结束温度 Af 的下降 ,而对 R 相变开始 R s 和结束温度 Rf 影响不大。掠入射 X 射线衍射 表明 H + 离子注入后有氢化物形成。H + 离子注入形成的氢化物是引起相变点的变化的主要因素。 　　关键词 : 　TiNi 形状记忆合金薄膜 ; 　H 离子注入 ; 　马氏体相变 ; 　示差扫描量热仪 ; 　X 射线衍射 　　中图分类号 : 　TG139. 6 　　　　文献标识码 : 　A ( ) 　　TiNi 基形状记忆合金 SMA 薄膜由于形状记忆效应它可恢复变形并且恢复力很大 ,作为力敏和热敏元件 ( ) 在微驱动领域极具应用前景。近年来 , 由于微电子机械系统 micro electric mechanical system ,简称MEMS 对新型 驱动元件的需要 ,TiNi 基形状记忆合金薄膜作为新型驱动器件材料得到了广泛的研究[1～3 ] 。Fu 等人[4～7 ] 利用 TiNi 和 Ti 共溅射的方法成功地制备具有良好形状记忆效应的记忆合金薄膜。在实际应用中 ,记忆合金薄膜可 能出现在辐照或氢环境下 ,而氢对记忆合金性能的影响还存在争议。Stepanov 等人[8 ] 认为氢导致马氏体相变