LED 报告.docVIP

第一部分　ＬＥＤ介绍 １．发展史简介 1965年，全球第一款商用化LED诞生（发光材料GaAsP），最初只能发出红光；1968年，因为半导体工艺进步，发光效率提高，而且出现了橙光、黄光的LED；1971年，绿光LED出现；到1994年蓝光LED出现（GaN材料） ；其中，LED的发光效率一直在提高； 这段时间（60年代-90年代中期），由于能发出有色光的特点，LED都被用作信号指示用，而没有用于照明领域；90年代后期，日本研制出通过蓝光激发YAG荧光粉产生白光的LED，这具有划时代的意义，从此LED就可用来当作光源使用，即用来作照明， LED照明也称为半导体照明。直到如今，特别是近2，3年，白光LED发展十分迅速，普及可量产的白光LED，其发光效率早就超过传统的白炽灯，目前部分厂商已经可以量产光效超过节能灯、荧光灯的LED产品。 ２．原理简介 LED（Light Emitting Diode）就是发光二极管，是包含一个PN结组成的电子元件。核心部件就是包含这个PN结的芯片（chip）。芯片决定了这个LED的光电性能。当有足够的电压加到PN结两端时（P型材料接正极，N型材料接负极），P型半导体材料中的“空穴”和N型半导体材料中的电子就复合，复合以后就释放能量，以光和热两种形式发出。（图1） 图1 LED的PN结发光示意 一个用于照明的LED不仅要具有完整的PN结半导体材料芯片，还需要一些额外的封装结构使它能正常工作，比如芯片的固定，导线的连接，用于引出光线的透镜等。（图2 ，是一种具有代表性的白光LED实物和结构分析） 图2 Lumileds, K2大功率LED实物（左）和结构（右） ３．性能特点 以下是目前，LED与现在商用普及的白炽灯、节能灯等光源性能在一些常用参数上的比较，评价一个光源的好坏，主要就是采用下列参数进行。（数据来自于商用主流产品） 发光效率 （lm/w） 显色指数(CRI) 使用寿命 （h） 其他 白炽灯 5-20 80-100 500-3000 耐高温 荧光灯 60-100 60-85 5000-12000 - LED 40-110 60-90 10000-50000 体积小，无紫外红外线 还有很多特点没有一一列出，由图大致可见，LED之所以在近几年发展迅速，大受关注，在于LED在作为一个光源时各方面指标都不错。鉴于发展的阶段，或者是LED发光材料本身的限制，虽然可能在某一个特别项目上略微比不过传统光源，但综合性能好。尤其是它的高光效和长寿命，更是在能源问题倍受关注的今天崭露头角。 ４．发展空间 通过与传统常用光源比较，不难看出LED所具有的优势。在一定程度上，LED已经可以替代普通照明用的白炽灯，毕竟发光效率和寿命都大大超过后者；但严格地说，LED发展到今天，还没能完全取代传统的光源比如白炽灯、荧光灯而广泛使用，有几个原因： 一次性投资太大； 光源、灯具制造标准没有统一； 测试、评价手段没有统一； 散热和光学结构还未完全成熟； 由于是新兴起来发展不久的光源，必然伴随许多新技术和材料；而且产量没有扩大。这样一来，LED的成本就比较高。当技术有突破，产量明显提升的时候，LED光源的成本必然下降； 同样地，新兴的产品还没有与之配套完备的制造、检测、评价标准，这也是囿于LED发展阶段的瓶颈，目前国内外都在积极编制标准，许多草案已经出台，未来几年内LED的相关标准就将完备； 技术原因，LED发展太快，相应的散热，光学处理也在跟进，而没有完全适应。随着LED技术进步，散热和光学处理即将解决并定型。 根据美国半导体照明LED发展蓝图（OIDA 2002）（光电发展委员会） 2012年，LED光效达到150lm/w； 2020年，LED光效达到200lm/w； 日本“21世纪照明”发展计划中， 2010年LED光效达到120lm/w 国内，2010年100lm/w，2020年200lm/w 第二部分　行业概况 整个LED行业分为三大块： １．上游：LED芯（晶）片 芯片是LED产品中最核心技术部分，也是技术含量最高部分，因此进入上游产业的门槛最高。生长外延方法有气相外延(VPE）、液相外延（LPE）、金属有机化学气相淀积（MOCVD）、分子束外延（MBE）。它们生长LED有源层的材料分别有气相外延CaAsp、GaP，液相外延GaP，GaAlAs，金属有机物化学气相淀积InGaAlP、InCaN，分子束外延ZnSe等。金属有机化学气相淀积法（MOCVD）是目前生产超高亮度InCaN蓝、绿色LED和InCaAIP红、黄色LED的主要方法等厂商所掌握其中在专利及技术最强的是Nichia日本的Nichia、TyodaGosei及美国的Gree和欧洲的OSRAMOptoSemicondutors蓝色黄