dz第二章.ppt

三极管三个极 三个区 两个PN结 两种类型三极管 三极管内部结构 三极管的三种工作模式 工作在放大时， 对于NPN管子 C极电位最高，依次B极，E极电位最低 对于PNP管子 C极电位最低，依次B极，E极电位最高 例题 在某放大电路中分别测的两个三极管各电极的对地电位，是判断是NPN还是PNP，硅管还是锗管，区分出e、b、c三个电极 判断发射结，判断管子材质 判断集电极 判断管子类型 PNP NPN，工作在放大时 NPN C极电位最高，依次B极，E极电位最低 PNP C极电位最低，依次B极，E极电位最高 三极管在放大模式下的电流分配基本关系式 直流通路和交流通路 对于任何一个模拟电路既有直流电源作用又有交流信号源（交流电源）作用，欲处理（放大）的交流信号必须搭载在直流信号上。 直流信号保证半导体器件工作在指定模式， 由于电抗元件的存在，直流信号和交流信号所流经的通路不同，为研究方便，分为直流通路和交流通路，分别研究支流信号以及交流信号 直流通路 直流信号对电路作用的通路 用于分析静态工作点IDQ 直流通路画法： 电容开路 电感短路 交流信号源短路，信号源内阻保留 交流通路 交流信号源对电路作用的通路 用于分析交流信号的响应 交流通路画法： 电容短路 电感开路 直流信号源短路 瞬时信号的书写 瞬时信号=直流分量+交流分量 复习 三极管的结构 三个区、三个极 三极管类型 三极管工作的三个状态,偏置要求 三极管工作在放大状态时三个极的电位(NPN,PNP) 三极管工作在放大状态时三个极电流的关系以及方向(NPN,PNP) Β α 三极管工作在放大状态时具有正向受控作用的表达式 对于交流信号而言，三极管所构成的放大电路的三种组态。 瞬时信号、直流信号以及交流信号的书写方式 p64 如何画直流通路和交流通路 245（a）图 画直流通路，并根据三极管在放大模式下的直流简化模型画直流等效电路图（假定该电路中三极管工作在放大状态） 2.4　晶体三极管伏安特性曲线 　　伏安特性曲线是三极管通用的曲线模型，它适用于任何工作模式。 IB= f1E ( VBE ) VCE = 常数 IC= f2E ( VCE ) IB = 常数 共发射极 输入特性： 输出特性： + - T VCE IB VBE IC + - 第 2 章　晶体三极管 IB= f1E ( VBE ) VCE = 常数 共发射极 输入特性： 输入特性曲线 VCE = 0 IB /?A VBE /V VBE(on) 0.3V 10 V O V(BR)BEO IEBO + ICBO VCE 一定： 类似二极管伏安特性。 VCE 增加： 正向特性曲线略右移。 由于 VCE = VCB + VBE WB? WB E B C 基区宽度调制效应 注：VCE 0.3 V 后，曲线移动可忽略不计。 因此当 VBE 一定时： VCE??VCB?? ? 复合机会 ? ? IB ? ? 曲线右移。 第 2 章　晶体三极管 IC= f2E ( VCE ) IB = 常数 共发射极 输出特性： VCE /V IC /mA O IB = 50 ?A 40 ?A 30 ?A 20 ?A 0 60 ?A 70 ?A 10 ?A 输出特性曲线 饱和区(VBE ? 0.7 V，VCE 0.3 V) IC /mA VCE /V O IB = 40 ?A 30 ?A 20 ?A 10 ?A 0 特点： 条件： 发射结正偏，集电结正偏。 IC 不受 IB 控制，而受 VCE 影响。 VCE 略增，IC 显著增加。 　　输出特性曲线可划分为四个区域： 饱和区、放大区、截止区、击穿区。 第 2 章　晶体三极管 放大区(VBE ? 0.7 V， VCE 0.3 V) IC /mA VCE /V O IB = 40 ?A 30 ?A 20 ?A 10 ?A 0 特点 条件 发射结正偏 集电结反偏 VCE??曲线略上翘 具有正向受控作用 满足 IC = ? IB + ICEO 说明 IC /mA VCE /V O VA 上翘程度—取决于厄尔利电压 VA 上翘原因—基区宽度调制效应(VCE?? IC 略?) 第 2 章　晶体三极管 在考虑三极管基区宽度调制效应时，电流 IC 的修正方程 基宽 WB 越小?调制效应对 IC 影响越大?则?VA?越小。 ? 与 IC 的关系： IC O ? 在 IC 一定范围内 ? ? 近似为常数。 IC 过小?使 IB?? 造成 ? ?。 IC 过大?发射效率? ?造成 ? ?。 考虑上述因素，IB 等量增加时， IC VCE O 输出曲线不再等间隔平行上移。 第 2 章　晶体三极管 截止区(VBE ? 0.5 V， VCE ? 0.3 V) IC