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招标文件补充资料 系统配置 总体要求 主要包括一个可容纳单片3英寸半导体衬底（GaAs、InP及Si）的III-V化合物分子束外延生长系统。生长的样品具有低表面缺陷密度，高电子迁移率，高厚度、掺杂和合金组分均匀性，重复性好的特点。 MBE系统最晚在签约日起8个月之内交货。 保修期至少两年。指明保维修(差旅和劳务费)及主要零部件的价格。 价格包括两部分：完整的MBE系统的整体价格和四个可选项的单列价格。附上主要零部件的价格表。价格以欧元，美元或人民币给出。 液氮冷屏、腔体等焊接位置等位置购买之后三年内如果出现泄漏，厂家立即免费更换新腔体或冷屏。 系统构成（必选项） 2.1生长室： 2.1.1 主腔体：真空密封法兰，冷屏，上下法兰组，传送腔，连接闸板阀，观察窗，炉子，挡板开关组合，水冷及液氮接入口，样品台及操作杆，可加热的红外测温窗口。 2.1.2 实时监控设备：束流规（2E-11 Torr ~ 1E-3 Torr），真空离子规， RGA质谱仪（质量数至少到200），RHEED高能电子衍射仪，KSA Bandit 测温及反射谱测量系统。 2.1.3泵组：冷泵，离子泵（请给出示意图，并说明数量，型号和泵浦效率）。 技术要求： 生长室烘烤后真空度小于5x10-11 Torr。 样品架可加热到1000摄氏度（热偶读数），以加热到1200摄氏度（热偶读数）为佳，并能以60rpm旋转。 红外高温计观察窗口具有加热功能以防止/减少镀As。 束流计能自动定位于工作、收回位置。 生长室有一套完整的RHEED系统，电子枪高压至少在15千伏以上，带有包括CCD相机在内的RHEED震荡测试系统和软件。 有一套完整的KSA Bandit 测温及反射谱测量系统，测试反射谱范围为近红外波段（875 nm-1675 nm），能实时提供薄膜生长过程中整个镜片的温度分布全图，温度重复性：0.2摄氏度；温度分辨率：0.1摄氏度；稳定性：0.2摄氏度。 6）* 建议配备抽速至少1500l/s的CTI冷凝泵和抽速至少480l/s 的Gamma离子泵。 源炉： 9个包括电源及控制系统（开关挡板及电源）在内的完整的源炉：镓（2），铟（2），铝（1），砷（1），磷（1）和硅（1）铍（1）掺杂源。 1) * 所有束源炉要求束流稳定，均匀性好。裂解炉裂解效率高，材料利用率高，束流重复性好。铝源及其坩埚的设计在突然停电时免于因温度骤降而引起的坩埚爆裂。Ga、Al、In最高温度为1400℃。P为双温区的裂解炉，裂解区除气温度1600℃，带有白磷气冷温控系统及回收系统。所有炉子的温度稳定范围为±0.5℃。 2）*In、Ga等源炉的挡板材质可选配PBN的。 3）* III族源炉的坩埚容量超过100毫升，材料生长均匀性优于±1.5%。 2) * 砷源、磷源（必选项）和锑源（可选项）裂解炉有较大的动态束流范围和在针尖阀门关紧时最小的背景束流。 3）* 镓源和铟源以及它们的快门设计尽量避免镓和铟的液滴滴入生长室内（需要提供坩埚和快门的设计图）。 缓冲室： 2.3.1 Buffer腔室组合：加热台、加热灯丝、阀门等。 2.3.2 真空束流计（2E-11 Torr ~ 1E-3 Torr）。 2.3.3 样品架。 2.3.4 离子泵（请给出示意图，并说明数量，型号和泵浦效率）。 技术要求： 缓冲室烘烤后真空度小于5x10-10 Torr。 能将样品架加热到600摄氏度除气。 3）* 配备抽速至少480l/s的离子泵。 进样室： 2.4.1 进样室腔室：烘烤灯丝，阀门，进出口等。 2.4.2 样品托及样品架（请说明样品室中样品托储藏的最大数量）：包含三英寸（2），两英寸（4），及四分之一两英寸（8）的样品托。 2.4.3 真空束流计（2E-9 Torr ~ 1E-3 Torr）。 2.4.4机械泵，分子涡轮泵。 2.4.5烘烤系统。 技术要求： 进样室烘烤后真空度小于5x10-8 Torr。 进样室需连接超净操作台，故其输入通道水平放置。 烘烤温度达到200摄氏度。 4）* 建议配置冷凝泵。 真空SPM测试系统： 1）保修由原产商负责。 2）需提供与真空SPM腔体相连接的管道及与其测试样品托兼容的样品架，此为单个模块单独报价。 控制系统： 包括机柜控制系统、电脑及其配件、软件包（说明软件是否免费更新）、工具箱以及一套完整的纸质版和电子版MBE系统文件，包括具体结构蓝图和使用说明。 备件（请注明数量及主要部件报价）： 盲板。 坩埚: Al, Ga(In)。 RHEED: 荧光屏，电子枪灯丝。 挡板阀密封圈组件。 挡板组件。 束流计灯丝。 观察窗：请注明是否为可加热的红外测温窗口。 热电偶:衬底加热器; 源炉。 样品架。 束流计。 RGA灯丝。 铜垫圈。 系统真空部分的各种接线，接头，陶瓷绝缘柱。