ESD_讲义_浙大版.pptVIP

ESD模型及有关测试 1、ESD模型分类 2、HBM和MM测试方法标准 3、 CDM模型和测试方法标准 4、 EIC模型和测试方法标准 5、 TLP及其测试方法 6、拴锁测试 7、 I-V测试 8、标准介绍 1、ESD模型分类 因ESD产生的原因及其对集成电路放电的方式不同，经过统计，ESD放电模型分下列四类: (1) 人体放电模式 (Human-Body Model, HBM) (2) 机器放电模式 (Machine Model, MM) (3) 组件充电模式 (Charged-Device Model, CDM) (4) 电场感应模式 (Field-Induced Model, FIM) 另外还有两个测试模型： (5)对于系统级产品测试的IEC电子枪空气放电模式 (6)对于研究设计用的TLP模型 人体放电模式 (Human-Body Model, HBM) 人体放电模式(HBM)的ESD是指因人体在地上走动磨擦或其它因素在人体上已累积了静电，当此人去碰触到IC时，人体上的静电便会经由IC的脚(pin)而进入IC内，再经由IC放电到地去，如图2.1-1(a)所示。此放电的过程会在短到几百毫微秒(ns)的时 间内产生数安培的瞬间放电电流，此电流会把IC内的组件 给烧毁。 不同HBM静电电压相对产生的瞬间放电电流与时间的关系 显示于图2.1-1(b)。对一般商用IC的2-KV ESD放电电压而言，其瞬间放电电流的尖峰值大约是1.33 安培。 机器放电模式 (Machine Model, MM) 有关于HBM的ESD已有工业测试的标准： 图显示工业标准 (MIL-STD-883C method 3015.7)的等效电路图，其中人体的 等效电容定为100pF，人体的等效放电电阻定为1.5KΩ。 表是国际电子工业标准(EIA/JEDEC STANDARD) 对人体放电模式订定测试规范(EIA/JESD22-A114-A) 机器放电模式 (Machine Model, MM) 机器放电模式的ESD是指机器(例如机械手臂)本身累积了静电，当此机器去碰触到IC时，该静电便经由IC的pin放电。因为机器是金属，其等效电阻为0Ω，其等效电容为200pF。由于机器放电模式的等效电阻为0，故其放电的过程更短，在几毫微秒到几十毫微秒之内会有数安培的瞬间放电电流产生。 此机器放电模式工业测试标准为 EIAJ-IC-121 method20，其等效电路图和等级如下： 机器放电模式 (Machine Model, MM) 2-KV HBM与200-V MM的放电比较如图，虽然HBM的电压2 KV比MM的电压200V来得大，但是200-V MM的放电电流却比2-KV HBM的放电电流来得大很多，放电电流波形有上下振动(Ring)的情形，是因为测试机台导线的杂散等效电感与电容互相耦合而引起的。因此机器放电模式对IC的破坏力更大。 国际电子工业标准 (EIA/JEDEC STANDARD) 亦对此机器放电模式订定测试规范 (EIA/JESD22-A115-A) 组件充电模式 (Charged-Device Model, CDM) 此放电模式是指IC先因磨擦或其它因素而在IC内部累积了静电，但在静电累积的过程中IC并未被损伤。此带有静电的IC在处理过程中，当其pin去碰触到接地面时，IC内部的静电便会经由pin自IC内部流出来，而造成了放电的现象。 此种模式的放电时间更短，仅约几毫微秒之内，而且放电现象更难以真实的被模拟。 组件充电模式 (Charged-Device Model, CDM) CDM模式ESD可能发生的情形显示： (1) IC自IC管中滑出后，带电的IC脚接触接到地面而形成放电现象。 (2) IC自IC管中滑出后，IC脚朝上，但经由接地的金属工具 而放电。 (1) (2) 组件充电模式 (Charged-Device Model, CDM) IC内部累积的静电会因IC组件本身对地的等效电容而变，IC摆放角度与位置以及IC所用包装型式都会造成不同的等效电容。此电容值会导致不同的静电电量累积于IC内部。 电场感应模式 (Field-Induced Model, FIM) FIM模式的静电放电发生是因电场感应而起的。当IC因输送带或其它因素而经过一电场时，其相对极性的电荷可能会自一些IC脚而排放掉，等IC通过电场之后，IC本身便累积了静电荷，此静电荷会以类似CDM的模式放电出来。 有关FIM的放电模式早在双载子(bipolar)晶体管时代就已被发现，现今已有工业测试标准