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第一章半导体元件及其特性 重点是掌握半导体二极管、晶体管和场效应管的外部特性和主要参数 1、纯净的半导体称为本征半导体，本征半导体中有两种载流子导电，且其导电性与温度有关。 2、N型和P型，其导电性和掺杂浓度有关。 3、N型半导体和P型半导体制作在一起形成PN结，PN结具有单向导电性。 4、PN结封装而成，伏安特性（死区电压、导通电压）及主要参数（IFM 、URM ）。 5、稳压二极管和发光二极管的特性，符号。 6、晶体管有发射结、集电结两个PN结，发射区、基区、集电区三个区域，发射极、基极、集电极三个极。 7、晶体管的电流放大作用IC=βIB ，三个电流之间的关系IE= IC+ IB 。 8、晶体管的输入特性、输出特性、主要参数和三个工作区域，晶体管工作在放大区、饱和区和截止区的特点。 9、场效应管的主要特点 。 1、P型杂质半导体中多数载流子是 空穴 ，少数载流子是 电子 ，少子的浓度是由 温度 决定。 2、 伏安特性 ，它的两个主要参数是最大整流电流 和 最高反向工作电压 ；常温下，硅二极管的死区电压约 0.5 V，正向导通压降约为 0.7 V。 3、 和 两种类型，它用来放大时，应使发射结 偏置，集电结 偏置。 4、3个电极时，以测量 最为方便。 A．各极间电