数字大规模习题课.docVIP

一掺有硼原子的硅样品，其受主浓度为4x1014cm-3，分别求多子、少子浓度和样品的电阻率。（4x1014cm-3，，5.26x105cm-3，32.17欧姆-cm） 已知电子迁移率为500cm2/V.s，mos管的过驱动电压为2.6V，阈值电压为0.7V，漏源电压为1.8V，求当W=10um，L=0.5um，tox=10nm时mos管的电阻 产生三所效应的原因及其预防措施。 考虑设计一个缓冲器级联链，此链的负载电容为35pF，假设最初一级的输入电容为45fF。采用理想化的尺寸放大原理，计算出缓冲器链的级数及相应的尺寸。 有比电路和无比电路的定义分别是什么？VLSI电路中常见的有比电路和无比电路有哪些。 有一复合cmos逻辑门实现以下功能： F=not（ab+cde） 设计该逻辑电路 以一个对称反相器作为确定尺寸的参照，如果选择使pmos和nmos电阻相等，求该门中的器件尺寸。 分析以下电路图，实现什么逻辑功能。 以下电路是何种类型的电路，分析电路工作原理。 写出8选1数据选择器的verilog程序。 10、已知A*not(B)=0，并且B*not(A)=0，证明A和B肯定相等。 11、已知输入信号A、B、C、D的波形如下图所示，选择适当的CMOS逻辑电路，设计产生输出F（输入无反变量）。