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提高氮化铝陶瓷基片厚膜附着力的方法(概述) 杨成刚 (贵州振华风光半导体有限公司) 摘要：在以氮化铝厚膜基片为衬底的功率混合集成电路中，由于氮化铝浅表面吸潮在通常 的高温烘烤下难以彻底挥发，导致厚膜导带与氮化铝衬底的附着力不稳定，在键合时，容易 出现厚膜健合区金属层脱层，影响键合的可靠性，从而影响电路的可靠性。本文主要论述提 高氮化铝陶瓷基片厚膜附着力的方法，以解决附着力不良导致健合脱层的问题。 关键词：混合集成电路；氮化铝：厚膜；键合；脱层 一、前言 在功率厚膜混合集成电路的集成技术中，由于氮化铝陶瓷基片(AIN)具有极高的热导 率，无毒、耐腐蚀、耐高温，热化学稳定性好等特点，常用于集成大功率元器件。考虑成本 问题，用热导率次之的氧化铝陶瓷基片(A1203)集成中小功率元器件；用热导率接近于金 属的氮化铝陶瓷基片(AlN)集成大功率元器件。具体方法是：在氧化铝陶瓷基片、氮化铝 陶瓷基片上进行厚膜导带、厚膜阻带的印刷和烧结，将中小功率电阻、中小功率半导体芯片、 中小功率片式元器件集成在氧化铝陶瓷基片上，将大功率电阻、大功率半导体芯片、大功率 片式元器件集成在氮化铝陶瓷基片上，再采用键合丝(金丝或硅铝丝)进行芯片与基片、基 片和基片、基片和管脚之间的引线键合，完成整个电器连接，最后在特定的气氛中将管基和 管帽进行密封而成，如图l所示。 存在的主要问题是：由于氮化铝在大气中易吸潮、水解，和湿空气、水或含水液体接触 产生热和氮并迅速分解，在室温下也能和水缓慢地进行反应，而被水解，渗透进入氮化铝中 的水汽即使在高温烘烤下也很难彻底挥发，导致在氮化铝陶瓷基片上印刷和烧结的厚膜附着 力不易提高，一致性和均匀性差。用于大功率的粗键合丝进行键合时，由于键合拉力较大， 容易导致键合键合拉力不足，甚至造成键合区厚膜脱落，降低键合系统的可靠性，另一方面， 由于氮化铝陶瓷基片上印刷和烧结的厚膜附着力不良，导致氮化铝陶瓷基片与管基底座之间 的附着力不良，影响热传递效率，严重时导致基片脱落，综合上述两个方面，对功率厚膜混 合集成电路的可靠性产生一定的影响。 面 图1 原有集成技术示意图 二、解决的方法及实施方案 针对于上述存在的问题，解决的目标是： (4)使氮化铝陶瓷基片吸附的水汽充分挥发掉； (5)提高氮化铝陶瓷基片键合区金属膜的附着力； (6)提高氮化铝陶瓷基片与管基底座之间的附着力。 l、技术原理 根据氮化铝吸潮的原理，必须采取在高真空环境中，在抽真空的同时，对氮化铝陶瓷基 片进行加热烘烤，才能将水汽完全挥发和抽掉。然后在不取出氮化铝陶瓷基片的条件下，紧 接着在高真空环境中，利用制作好导带图形的金属掩模作屏蔽，直接在氮化铝陶瓷基片的正 面选择性溅射或蒸发一层高熔点(1000"C以上)复合金属薄膜，在氮化铝陶瓷基片的背面整 体溅射或蒸发一层高熔点(1000。C以上)复合金属薄膜，然后才能取出真空室。再在己溅射 或蒸发复合金属薄膜的氮化铝陶瓷基片上进行厚膜导带、厚膜阻带的丝网印刷、烧结和调阻， 进行常规混合集成，从而解决前述存在的问题。 2、工艺路线 根据上述技术原理，采用下图所示的工艺路线进行实现： 图2增强氮化铝厚膜附着力的工艺流程图 图中虚线部分属为在原有工艺基础上增加的工艺。 3、采取新工艺后的产品结构示意图 采取新工艺后的产品结构示意图如图3所示： f片式元器件 …；面 小功I 膜●带叫 ／ ／管脚键合t 奎、ILl／一·—仝j 、I| ，、j＼ 广＼!。t 厂~、、 ／ 1＼ ’l，月日／置由暖疆矗凶童z乏芝i凶商鑫≯7：7玉矗蜀一—曩|函记；】—l韭 要摹!曩：!；￡