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Flash 的技術與運作原理介紹 編輯部 謝有銘 關於快閃記憶體的工作原理，2000 年 11 月號曾經由周秀光老師專文介紹，此處仍 不厭其煩的引述並整理周老師的解說，讓讀者對快閃記憶體的運作原理有更清楚且 徹底的了解。 透過電子的移動改變儲存狀態 簡單來說，快閃記憶體是以電荷作用為存儲媒介。電子存儲於懸浮的、與周圍絕緣 的閘極上，也就是在控制閘（Control gate ）與通道間卻多了一層物質，稱之為懸浮 閘極（floating gate ）。通常，懸浮閘極與一控制閘極或字線(word line)通過電容耦合， 以便在編程、清除及讀出操作時對懸浮閘極上的有效電壓進行控制。懸浮閘極上的 電荷決定了下層電晶體的閥值電壓。簡單的說，由於懸浮閘極的物理特性與結構， 使得當它被注入負電子時，儲存狀態就由＂ 1”被寫成＂0” ，相對的，當負電子從浮 閘中移走後，儲存狀態就由＂0”變成＂1” 。 關於電荷的生成和存儲有多種實現方法。其中一種為“通道熱電子編程(CHE)” ，為 目前使用最為廣泛的編程方法。在該方法中，單元電晶體通過施加於其控制閘極上 的高電壓被切換導通，同時利用施加於汲極(drain)上的一個中間水平電壓而形成從 源極至汲極的電場，使電子獲得加速，這就形成了“熱＂電子。 熱電子受控制閘極電勢所形成的垂直電場吸引，被拉向懸浮閘極。簡單的說，就是 將在通道中的負電子加速自通道上跳到懸浮閘極中，以完成寫的動作。同樣原理可 以運用在抹除的功能上，當控制閘接地且源極接至一個高壓時，浮閘上的負電子將 會自浮閘中拉至源極，進而完成抹除的動作。 另一種編程方法為 Fowler-Nordheim(FN)通道法。它是在一氧化薄層兩側施加高電 壓。高電壓將形成高強度電場，幫助電子穿越氧化層通道、達到懸浮閘極。總之， 快閃記憶體就是透過這種負電子存放或移除於浮閘的原理，使得本身具有重複讀寫 的特性。 除了直接描述快閃記憶體的儲存原理之外，或許我們還可以透過另一種方式來理解 快閃記憶體，就是藉著與其他儲存技術的相比，來描繪快閃記憶體的某些特性。 與不同記憶體技術的比較 首先是與動態隨機存取記憶體(DRAM)來比較，從結構上來比較快閃記憶體與 DRAM ，簡言之，快閃記憶體外側的絕緣體可以將電子困在結構內部，即使失去電 源供應，電子也不會衝出結構之外，因此資料仍然可以在無電源供應的情況下保留。 而 DRAM 的原理就是個充放電的電容，一失去電源的供應，就處於放電的狀態，電 子衝出結構之外，資料也就無法保存。因此，在特性上，DRAM 屬於揮發性記憶體， 為了維持記憶狀態，必須維持供電。如果將它應用在攜帶式裝置，並且用來儲存資 料，就必須另外內建備用電池隨時供電，也就是這個原因，使得快閃記憶體比它更 適合用在攜帶式裝置上。 與另一種記憶體技術─唯讀記憶體 ROM 相比，唯讀記憶體同樣具有非揮發性，也 屬於高密度，但遜色於快閃記憶體的地方在於無法重複讀寫，因此通常侷限在程式 的儲存。之後的 EPROM(Electrically Programmable Read-Only Memory)改善了唯讀記 憶體無法重新寫入的缺點，EPROM 在寫入之後，仍然可以透過紫外線的清除再重 新寫入。 之後的 EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)可說是快閃 記憶體的前身，同樣屬於非揮發性，在寫入之後也如同快閃記憶體，可以透過電來 清除，再利用微控制器寫入。但是與後來的快閃記憶體相比，EEPROM 的缺點在於 一方面容量不大，另一方面由於它的記憶讀寫方式是採取按位元組紀錄的方式，而 快閃記憶體則是採取按記憶區段紀錄的方式來讀寫資料，因此速度上比不上快閃記 憶體。 再讓我們回到快閃記憶體。 NOR 型與 NAND 型快閃記憶體的差別 目前快閃記憶體業界中已有多種類型的單元，每種都有不同的編程機制與清除機制 的組合。最普遍的主要是單電晶體 NOR 型單元。另一種為 NAND 型單元。多數 NOR 單元採用 CHE 編程和 FN 擦除法，優點在於速度和快速的編程，缺點是需要閥值電 壓來控制被清除的單元。這一點相當重要，因為如果一個單元清除過快，它可能被 耗盡(depleted) ，這意味著無法對單元再進行選擇和選擇解除，該單元電晶體將一直 導通，並妨礙單元陣列的整體功能。 為防止過度清除，需要採用一種特殊的算法來恢復過度清除的單元。這增加了記憶 體控制的複雜性，並在清除中需要更多的時間。NOR 型快閃記憶體的特點在於速度 較快，但容量較小，一般用來儲存程式