第09课 图像传感器及其应用.ppt

光电传感与检测技术 Ch.09 图像传感器 OUTLINE CCD CMOS 图像传感及其应用 图像传感 完成图像信息光电转换的功能器件称为“光电图像传感器” 20世纪早期使用的是“光电摄像管”，灵敏度低，笨重 1970年，Bell Lab的Boyle Smith发明了电荷耦合器件（CCD），掀开了图像传感的革命。使图像传感从电子束扫描方式发展到固体自扫描方式。 在CCD之前已经有CMOS图像传感器了，但当时的CMOS无论在灵敏度、噪声、功耗方面都比CCD差。近年来CMOS传感器发展迅速，上述性能逐渐接近CCD，并且拥有许多独特的优势。 CCD/CMOS在广播电视、工业监控、医疗成像、军事侦察、机器视觉、交通、安保等领域发挥了巨大的作用。 CCD概念 CCD： 电荷耦合器件 Charge-coupled Device 一种阵列型半导体光电图像传感器 把光学影像转换为数字图像信号 最小单元，像素（pixel） 一块CCD像素越多，图像分辨率越高 CCD像素单元结构 构成CCD的基本单元是一个“金属－氧化物－半导体”结构（MOS结构） CCD像素单元结构 当栅极和P型衬底之间加上正电压Ug时，相当于形成以SiO2为介质的平板电容（MOS电容） 在Ug作用下，产生一个由栅极指向P衬底的电场，但不会形成电流，这个电场排斥空穴，吸引电子。 靠近栅极的P衬底中的空穴被排斥，留下不能移动的受主离子，构成耗尽层； 同时P衬底中的少子电子被吸引到靠近栅极的表面，形成了一个N型薄层，称为反型层 CCD像素单元结构 当栅极电压Ug突然由0增大到阈值电压以上时，轻掺杂的半导体中少数载流子很少，不能立即建立反型层 在不存在反型层的情况下，耗尽区会进一步向体内延伸，Ug的绝大部分电压会降落在耗尽区上。 反型层建立以后，耗尽区会收缩，表面势下降，氧化层上承担的电压增加 当有足够的少数载流子时，表面势可降低到半导体材料费米能级的两倍，其余电压降落在氧化层上。 CCD像素单元结构 表面势φs：P衬底与氧化层界面上的电势 表面势反映了耗尽区的深度 氧化层越薄，表面势与Ug之间的线性关系越好 CCD像素单元结构 电子被半导体与氧化层界面吸引的现象可以用“势阱”概念来描述。 Ug越大，势阱越深 电子填充势阱，势阱中能够容纳电子的多少取决于势阱的深度，即表面势的大小，而表面势大小又取决于栅极电压的大小 CCD工作原理 三部曲： 信号电荷注入（输入） 信号传输（电荷转移） 信号输出 CCD电荷注入 当光线透射到CCD的MOS结构上时，光子穿过透明电极和氧化层，进入P型Si衬底，激发过剩的载流子。 电子空穴对在电场作用下分离，形成信号电荷，这些信号电荷存储在表面“势阱”中。 Next Questions: 这些“信号电荷”是如何输出的？ 电荷“耦合”的机制是怎样的？ 如何将CCD的信号输出转换成数字图像？ CCD电荷转移 CCD电荷耦合 CCD 电极之间的间隙必须很小，电荷才能不受阻碍地从一个电极下转移到相邻电极下。（1um左右） 以电子为信号电荷的CCD称为“n沟道CCD”，以空穴为信号电荷的CCD称为“p沟道CCD”，由于电子的迁移率远大于空穴的迁移率，所以n沟道CCD工作频率高 CCD的信号输出 CCD信号输出 CCD信号输出 线阵CCD器件 线阵CCD器件 UV增强CCD CCD噪声 CCD噪声 CCD噪声 CCD噪声 SNR——CCD的信噪比 衡量CCD测量信号质量的指标：信噪比 改善信噪比：减小暗噪声；提高光信号 减小暗噪声：制冷 提高光信号： 收集更多的光：收集光路、像素结构（微透镜） 更高的量子效率：背照式CCD 增加曝光（积分）时间 采用Binning技术（像素合并） 降低CCD暗噪声－TE Cooling 背照式CCD Back-Illuminated CCD Back-thinned CCD Binning 技术 Binning技术 增加曝光时间 面阵CCD结构 CCD结构： 感光二极管（photodiode） 并行信号寄存器（shift register） 串行信号寄存器（Transfer Register） 输出信号放大器 面阵CCD 面阵CCD可以分为： 全帧（Full Frame）CCD 间行（Interline）CCD Interline CCD Full Frame CCD 彩色CCD 由于光电二极管只能感应光的强度，无法感应光的颜色（波长），所以彩色成像CCD/CMOS必须在感光元件上访覆盖彩色滤光片（color filter） CMOS CMOS图像传感器诞生时间比CCD早（1969），它是一种用传统的半导体芯片工艺方法将光敏元件、放大器、ADC、存储器、数字信号处理器和计算机接口电路集成在一块硅片上的图像传感