级半导体器件物理期末试题(A.pdfVIP

2004 级半导体器件物理期末试题（A 卷）  （共 8 题，满分 100 分，考试时间：150 分钟、可以使用简单计算器） 1〔10 分〕证明小注入情况下在 PN 结空间电荷区边界上有 V V n (−x ) n e T p p p 0 V V p (x ) p e T 成立 。 n n n 0 2 〔15 分〕共基极连接双极结型晶体管（BJT ）： （1）〔5 分〕画出电流分量示意图。 （2 ）〔5 分〕写出各个极电流表达式。 （3 ）〔5 分〕写出各个极电流之间满足的关系式。 3 〔15 分〕对于金属和N 型半导体构成的肖特基势垒： （1）〔5 分〕画出热平衡能带图。根据能带图写出内建电势差 qψ 和肖特基势垒高度 qφ 。 0 b （2）〔7 分〕画出能带图说明肖特基势垒二极管的整流特性。 qφ 可视为不変？ （3 ）〔3 分〕为什么在加偏压的情况下肖特基势垒高度 b 4〔15 分〕 （1）〔7 分〕写出加偏压的N 沟增强型 MESFET 空间电荷区宽度的表达式并导出阈值 电压（对于耗尽型称为夹断电压，增强型称为阈值电压，二者符号相反）和内夹断电压的表 达式。 （2 ）〔8 分〕一个 N 沟增强型 GaAs MESFET 在 T=300K 时，假设φ 0.89V ，导带有效状 b 态密度N C 4.7 =×10１7 cm−3 ，N 沟道掺杂浓度N d 2 =×1015cm−3，阈值电压VTH 0.25V 。 计算沟道厚度 −19 −14 a 。(注：电子电荷q 1.6=×10 C ， ，G A : k 13.1) ε 8.85=×10 F / cm 0 a s s 5〔10 分〕写出实际 MOS 阈值电压表达式并说明式中各项的物理意义。 6 〔15 分〕根据外量子效率公式 −1 −1 η η 1=+αV AT η 1=+αx T e i ( ) i ( j ) （1）〔8 分〕指出提高外量子效率的途径。 （2 ）〔7 分〕说明光学窗口的作用。 7 〔10 分〕说明半导体光电二极管的工作原理。 8 [10 分] 画出 PN 结二极管交流小信号等效电路图（包括串联电阻、直流电导－扩散电阻的 倒数、耗尽层电容和扩散电容），分别给出它们的定义和主要的影响因素。 2004 级半导体器件物理期末试题（B 卷）  （共五题，满分100 分，考试时间：150 分钟）2007.6 1 [30 分] 右图为 PN 结由正偏压变为反偏压 p n 的载流子分布示意图，可以看出： a. 从 t =0 到 t t ：在 P −N 结界面 x x s n t 0 处 注 入 的 载 流 子 浓 度 不 断 下 降 。 b. 注入载流浓度的梯度 dpn dx