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GaAs双栅MESFET的PSPICE直流模型。 程知群孙晓玮夏冠群 中宙科学院上海冶金研究所上海200050 漏极电流与两个控制栅偏置电压之间的关系，给出了漏极电流表达式，通过提取适当的模 型参数，其直流输出特性的模拟曲线与实测曲线基本吻合，说明文中提出的OaAs双栅 MESFET的PSPICE直流模型是有效的．它可以方便地应用于GsAsMIMIC电路设计中。 。、引言 Ga舡双栅IVIESFET自70年代初问世以来，已为许多工作者所研究。实践证明GaAs 双栅MESn玎是一种极好的多用途微波器件。它在低噪声放大器、可变增益放大器、混频 器、RF功率限制器、倍频器、移相器和微波开关等电路中得到应用。与GaAs单栅MESFET 相比，Gabs双栅MESPET具有两个优点：(1)由于有两个独立的栅，增加了它的使用功能。 如：在双栅混频器中两个独立的栅将RF输入信号和本征信号自然隔开。(2)降低反馈或提 高功率增益和稳定性。在GaAs et ik,llv{IC的设计中，Curfice和Statza1分别提出了GaAs单 栅M15SFB“lr模型，并广为引用．OaAs双栅IVIESFET低频或高频信号模型在文献中已有报 道，但由于其导电机理比较复杂，GaAs双栅MESFET直流特性PSPICE模型一直宋见描 述。这给GaAs双栅lVIESFET的电路设计带来了诸多的不便。本文提出了用于微波单片集 成(MMIC)混频器中双栅加ESFET的PsPICE直流模型，给出了漏极电流一电压表达式， 通过提取适当的模型参数，其直流输出特性的模拟曲线与实测曲线基本一致。能较方便地 分析Ⅶ咀C双栅混频器非线性特性。 二、模型的建立 baA5双栅MESI礓T等效为两个单栅MESFET的串接。如图1所示，一个为共源FET 、一个为共栅FET．其等效电路如图2所示。 用PsPICE模拟MESFET的直流输出特性， 关键在于能否给出正确的漏极电流表达式． 我们知道单栅MESFET的PSPICE直流模 G 型分为两种_一种是Curtice模型，其漏电 流表达式如下： (1) I萨p(V，-Vt。)2(1+XVe,)tanh(ctVe,) 另一种模型是staze模型，该模型考虑了 喜一 y tanh(x)用幂极数表示，即tankF-I--(1一三)3， j 其漏电流表示为： 图1双栅MESI瞪T等效两 一 个单管串联符号图 3 t二一知∽批， qS～hs一 驴端2旷c 口 驴善篆％2∽㈨V矿i3 ‘中雷科学院置点项目基金资助 式中vT。、B、口、x、p均为模型参数。 图2双栅iVIESFET等效电路图 由于GaAs双栅MESFET冬了一个栅，其沟道导电机理变得复杂化。漏极电流已不能 的偏置电压的变化，而且受栅2的偏置电压的控制。尽管我们把双栅MESFET等效成两个 单栅MESFET的串接，但实际上我们不能单独地测出每个单管的直流输出特性。因为浮点 D。是不确定的。从图l可得如下关系式： InmIDl2ID2 (3) VDs_、，D,s+VDDl (4)