LiZn铁氧体单晶材料生长工艺的研究.pdfVIP

1999年 第十届全国磁学和磁性材料会议论文集437 LiZn铁氧体单晶材料生长工艺研究 游斌 信息产业部电子几所凹JIl绵阳621000 本文介绍丁用加速坩锅旋转助熔剂生长泫进行LiZn铁氧体单品材料生长实验和后加工工艺实验及结果。采用组分 小时降温2～5C，生K的LiZn铁氧体单晶，其饱和磁化强度Ms为280～3 35k／m，h．H晶小 14kA／m；铁磁共振线宽AH平均为0 为0 360kSH(Ms：360kA／m)itl相当，填补国内铁氧体单品材料系列中的一项窄白。 1．引言 随着微波器件频段越来越向毫米波段发展，国内现有的石榴石系列铁氧体单晶材料，虽然其微波特 性十分优异，但其饱和磁化强度Ms较低(常温下小于140kA／m)，此无法满足微米波器件高频段、小型 化、多功能集成化的要求，只能让位于具有高饱和磁化强度的Li铁氧体、NiZn铁氧体和六角铁氧体单 晶材料。Li铁氧体(Lio5Fe2 高的温度稳定性；因其磁性来自于唯一的Fe”离子，材料的铁磁共振线宽△H是尖晶石铁氧体中最小的， 可以达到o．24kA／m¨J，这使得Li铁氧体单晶材料更适合于低插入损耗、低微波功率器件的应用。因 此，Li铁氧体系列单晶材料受到极大的重视，国内外相继开展了广泛的研究【3～1。 2．实验 国内外生长尖晶石铁氧体单晶材料常用提拉法和助熔荆法，前者技术复杂，常用于生K磁记录用人 单晶材料；后者工艺较简单，主要用于生长微波铁氧体单晶材料，适用性较强。 2．1实验方法 LiZn铁氧体单晶材料。 对材料的后加工有：机械抛光～02退火一化学抛光三个部分，目的在于增加单晶小球表面光洁度， 消除小球表层和内部的应力，恢复晶格平衡，达到改善材料铁磁共振线宽AH的目的。 2．2实验条件 LiZn铁氧体单晶材料生长炉具有加速坩锅旋转和倒转的特点，适合于助熔剂法生长多种微波铁氧 体单晶(图1)。 炉盖 【j■U 硅碳棒 厂 [1 坩埚 倒转孔 L _ _厂厂 炉体 厂 ■■■l l 炉托 图1 LiZn铁氧体单晶生K炉不意图 438 会议论文集 1999年 3．结果和讨论 在Li铁氧体的各种离子中．对磁性的贡献来自r Fe”离子。Li铁氧体具有较小的铁磁共振线宽， 最小可达o．24kA／m，属反尖晶石结构{Fe)[¨o5FeI5]04，()为A位置，[]B位置。其自发磁化来 自rA、B间的负相互作用和B、B间的反铁磁作用。当Zn”进入Li铁氧体品格后，由于Zn2+具有强烈 呆在A位置的倾向，中子衍射也证实了这点。当Zn2+含量x从0一o27增加时，其室温下的饱和磁化 。：。．．镬童；镭酒酒Ⅺ∞穗。 强度从290kA／m增加到398kA／m左右；当x增加超过o27后，由于A、B间的负相互作用减弱，B、B间 的反铁磁作用加强，导致材料的饱和磁化强度下降。因此