3.1光电发射过程.ppt

3.1光电发射过程： 3.1.3半导体光电发射过程 3.1.4 实用光电阴极 光电发射阴极的主要参数 2.量子效率 3. 光谱响应 光谱范围从300 nm到1200 nm。银氧铯使用温度可达100℃，但暗电流较大，且随温度变化较快。 * * 3.1.1外光电效应 3.1.2金属的光谱响应 光电发射阴极的主要特性参数为灵敏度、量子效率、光谱响应和暗电流等。 1. 灵敏度 包括光谱灵敏度与积分灵敏度两种。 1)??光谱灵敏度 在单色（单一波长）辐射作用于光电阴极时，光电阴极输出电流Ik与单色辐射通量φe,λ之比为光电阴极的光谱灵敏度Se,λ。其量纲为μA/W或A/W。 Se,λ=IK/φe,λ 2)?积分灵敏度 在某波长范围内的积分辐射作用于光电阴极时，光电阴极输出电流Ik与入射辐射通量φe之比为光电阴极的积分灵敏度Se，量纲为mA/W或A/W。 在可见光波长范围内的“白光”作用于光电阴极时，光电阴极电流Ik与入射光通量φv之比为光电阴极的白光灵敏度Sv，量纲为mA/lm。 Sv= 在单色辐射作用于光电阴极时，光电阴极发射单位时间发射出去的光电子数Ne,λ,与入射的光子数之比为光电阴极的量子效率ηλ（或称量子产额）。即 量子效率和光谱灵敏度是一个物理量的两种表示方法。它们之间的关系为 （4-1） 光电发射阴极的光谱灵敏度（或量子效率）随入射辐射波长的变化曲线称为光谱响应。由材料决定。 4. 暗电流 光电发射阴极中少数处于较高能级的电子在室温下获得了热能产生热电子发射，形成暗电流。 光电发射阴极的暗电流与材料的光电发射阈值有关。一般光电发射阴极的暗电流极低，其强度相当于10-16 ~10-18Acm-2的电流密度。 2.锑铯 锑铯(Cs3Sb)光电阴极是最常用的、量子效率很高的光电阴极。峰值量子效率高达20%~30%。 两种或三种碱金属与锑化合形成多碱锑化物光阴极。其量子效率峰值可高达30%。 3. 多碱锑化物 4. 紫外光电阴极 在某些应用中，要求光电阴极材料只对所探测的紫外辐射灵敏，对可见光无响应。通常称为“日盲”型光电阴极材料，也称紫外光电阴极材料。主要有碲化铯(CsTe)和碘化铯(Csl)两种。长波限分别为0.32μm和0.2μm。