射频磁控溅射中杂散磁场对Ni-%2c80-Co-%2c20-薄膜各向异性的影响.pdfVIP

1999年 第十届全国磁学和磁性材料会议论文集 153 射频磁控溅射中杂散磁场对Ni。。Co：。薄膜各向异性的影响 龙建国，潘明虎，陈景，杜军，明安，鹿牧 南京夫学物理系、同体微结构图家重点实验奄，南京，210093 摘要：奉文报道了有射频磁拄溅射中靶摹内的磁体所产生的杂敝磁场对沉积的Nt。cn。单层膜的面内再向异性的 影响．发现该杂散磁场埘较薄的Ni。。co。。单层膜诱导出感生耳向异性 I、引言 早住五、六十年代人刺就己对单层膜的感生各向异性进行J，广泛的研究，并发现只要在很小的磁 场下进行热处理，就可产生一个沿磁场方向的感生各向异性…．磁控溅射作为-ge新的镀膜技术，靶基内 的磁体(永磁或电磁体)所产生的杂散磁场在真空室罄个空间的分布并非完全杂乱无章．有可能在某个特 定的方向产生一较弱的有效磁场．在制作较薄的薄膜时，该有效磁场，将诱导出磁各向异性．本文报道了 磁控溅射沉积的Ni。。co。。单层膜的面内各向异性，并发现Ni。。co。。单层膜的矫顽力H。随膜厚的减小而减 小 II、实验过程 溅射前背景气压低于3．0X10一Pa，在沉积过程中，Ar(99 利用振动样品磁场计(VSM)测量M—H曲线，磁场平行丁膜面方向，测量在室温下进行。所测量的 样品均从基片中心相同部位切F，以保证所测的样品在相同的杂散磁场位置，所测样品的大小均为3×3 III、实验结果和讨论 图1为厚度分别为18nm，34nm，90nm，1 20nm的Ni。oc020单层膜的膜面内的难向和易向的磁滞回线， 从图中可以看出，在厚度D小于90nm时，膜面内的各向异性十分明显，且随着膜厚的减少而呈增强的趋 势：而在大于90nm时，各向异性逐渐不明显，大约在120nm时，各向异性基本上消失，即沿任何方向均测 得几无分别的回线。另一方面，我们测量了真字室中的磁场的分布，该磁场在样品基片的位置处大约为 10奥斯特左右．同时，将同一块基片上不同位置切割r来的样品进行测量，发现被测的样品的易向的 取向很好地与该样品所出的杂散磁场方向相吻合。这说明样品的各向异性来源于磁场产生的感生各向 异性．在磁场的作用下，Ni原子和co原f的排列产生方向有序，当温度冷却至室温时．方向有序被冻结． 从而产生了感生各向异性”’．实验中还发现当膜厚大于120nm时，感生各向异性不明显。我们认为这可 能是因为随着膜厚的增加，膜面内的应力效果逐渐明显．由于杂散磁场强度比较弱，当膜厚达到一定 厚度时，磁场引起的感生各向异性不再明显，从而表现为各向同性。这也说明磁场引起的感生各向异 性的强弱和磁场的大是有关的。 ● D ● 叮 色 、一 8 苎 乏 H(Oe) H(Oe) (b)D=34nm ：i! 盒銎笙圣薹 !：：：± ● o 色 皂 订 叮 、√ 、_一 乏 乏 H(Oe)