Mn掺杂GaAs体系的第一性原理研究.pdfVIP

第27卷第2期 河南工程学院学报（自然科学版） Vol．27，Ｎo．2 2015年6 月 JOURＮAL OF HEＮAＮ IＮSTITUTE OF EＮGIＮEERIＮG Jun．2015 Mn掺杂 GaAs体系的第一性原理研究 文黎巍，叶金琴 （河南工程学院理学院，河南郑州４51191） 摘 要：基于第一性原理计算方法，研究了Mn掺杂GaAs体系的电子结构、磁结构及磁性来源．首先，计算研究了GaAs的 电子结构，证实其半导体性质；其次，发现Mn掺杂浓度为6．25%的GaAs体系的稳定磁结构为铁磁构型，其态密度仍具有半导 体性质，分析其磁性主要来源于Mn原子． 关键词：稀磁半导体；第一性原理；电子结构；磁性质 中图分类号：O４69 文献标志码：A 文章编号：167４-330X（2015）02-0078-03 稀磁半导体（DMS）是指利用3d族过渡金属或者４f族稀土金属的磁性离子取代 -VI族、 - 族等半 Ⅱ Ⅲ Ⅴ 导体中的部分带正电的离子而形成的新型半导体材料，如Zn Mn Se，Sn Mn Te，Zn Mn O等．稀磁半导体 1-x x 1-x x 1-x x ［1-2］ 因兼有半导体与铁磁的共同特性使其在电子器件和磁性方面有着很广泛的应用 ．因此，稀磁半导体已成 ［3-7］ 为近年来研究的热点 ．GaAs是一种重要的半导体材料，禁带宽度（能隙）1．４ eV，与太阳光谱匹配好，具 有熔点较高（1238 ℃ ）、耐高温等特性，在电池、半绝缘高阻材料、集成电路衬底及探测器等方面有着广泛应 用．Mn掺杂的（Ga，Mn）As既具有 - 族化合物半导体GaAs 的特性，又具备铁磁化合物的特点并与 - Ⅲ Ⅴ Ⅲ Ⅴ 族异质结器件制备技术有很好的兼容性，所以最近涌现了对于（Ga，Mn）As稀磁导体研究的热潮［8-10］．人们 对Mn掺杂GaAs稀磁半导体材料的制备、结构和磁性做了大量实验研究［11-19］，然而有关Ga Mn As 的理论 1-x x 研究相对较少．本课题采用基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理方法研究了Mn掺杂GaAs稀磁半导体的 稳定磁结构及电子结构，发现Mn掺杂GaAs体系的确具有磁性，解释了导致其具有稀磁半导体特性的原因． 1 结构模型和计算方法 1．1 结构模型 GaAs 的晶体结构见图1，这个化合物的空间群是F-４3M（Ｎo．216）．实验上的晶格常数是a = b = c = 。 5．653 3A，每个晶胞模型中含有４个Ga原子和４个As原子．为了构造在实验上已观察到的Mn掺杂浓度为 0．005~0．08 的掺杂体系Ga Mn As，基于GaAs构造了2×2×2 的超晶胞，见图2． 1-x x 图1 GaＡs 的晶体结构 图2 Ga Mn Ａs 的晶体结构（x =0 625 ） 1