X射线光刻及在微电子技术中的应用前景.pdfVIP

X射线光刻及其在微电子技术中的应用前景 刘泽文 (清华大学微电子学研究所) 摘要 本文介绍了x射线光刻(XRL)技术的原理和特点，分析了该技术在未来微电子技术中的应用前 景。摩尔定律预测，半导体工业在2007年将使用线宽为0．1哪的光刻技术。采用波长为Inm左右的x射 线进行接近式光刻，可以获得线宽为0．]gm以下的物理结构，从而满足这一技术要求。与此有关的x射线 光源技术，掩膜技术，光刻胶技术等经过多年的研究巳日趋成熟。 关键词微电子光刻x射线同步辐射 1 引 言 根据摩尔定律，半导体工业以每三年就出现新一代的IC器件的速度发展，图1以动态随机存取存储器 减小和芯片面积的增大，光刻过程以成像的方式定义器件的几何尺寸和它们之间的连接，决定器件和线路的 功能，图1的曲线部分给出了以线宽为表征的相应的光刻技术的发展趋势。 传统的光学光刻工艺由于衍射极 限而受到限制。为了缩小线宽，必须使 Ⅻ 7十线宽，p“ 8 amKrF 用波长更短的光源。随着248 口DRAM集成度／bit… i 激光器的出现，国外工业界已经开始用 B ＼， 2S8¨ 0．25／tm光刻工艺生产256Mbit的 广04M DRAM器件，而下一代集成电路的出 4 狮忡Ⅶ仲 现，需等待193nln的ArF光源曝光系 统的研制成功。如果在2007年实现 2 目j、憾繇糟聋 扯社、糍靴蛙瑶 O．1／xm光刻工艺，期间需经过0．18pm 艇 0D 和0．13}tm两个台阶。虽然运用相移光 m”心 0 01 栅技术可以提高分辨率，但这一技术只 1990 2000 2010 适合于周期性结构。可以说，用传统方 时问，a 法进行0．1pm及以下的光刻是极端 困难的。 图1 DRAM的发展过程和趋势以及相应的光刻特征线宽 由于这一原因，X射线光刻(xRL) 关注并加以研究。欧洲，美国，日本和中国等拥有同步辐射装置的国家相继在这一领域开展了有关研究。其 必须注意刊，目前对XRL研究投入较大的国家和地区，往往是半导体工业非常发达的地方，如美国，日本和 韩国。本文试图在这一背景下对XRL技术的原理及x射线光源，掩模，光刻胶等相关技术作一介绍并分析 其应用前景。 2 XRL原理 上的吸收体图形1：l地转换并记录在涂有光敏材料的硅片上。掩模吸收体对X射线的衍射可以用菲涅尔近 一183一 场衍射近似进行处理。设想熊用的是单色X光，其波长为^，如果特征线宽为Ⅳ，掩模一衬底间接近距离为g， 我们可以用菲涅尔数F表征衍射效应的大小。3