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掌握 熟悉 了解 第一章 半导体物理基础 一、能带理论 1、能带的形成、结构：导带、价带、禁带 当原子结合成晶体时，原子最外层的价电子实际上是被晶体中所有原子所共有，称为共有化。 共有化导致电子的能量状态发生变化，产生了密集能级组成的准连续能带---能级分裂 价带：绝对0度条件下被电子填充的能量最高的能带；结合成共价键的电子填充的能带。 导带：绝对0度条件下未被电子填充的能量最低的能带 2、导体、半导体、绝缘体的能带结构特点 禁带的宽度区别了绝缘体和半导体；而禁带的有无是导体和半导体、绝缘体之间的区别；绝缘体是相对的，不存在绝对的绝缘体。 3、导电的前提：不满带的存在 二、掺杂半导体 1、两种掺杂半导体的能级结构。 2、杂质补偿的概念 三、载流子统计分布 1、费米函数、费米能级：公式1-7-9和1-7-10，及其简化公式1-7-11和1-7-12 2、质量作用定律，只用于本征半导体：公式1-7-27 3、用费米能级表示的载流子浓度：公式1-7-28和1-7-29 4、杂质饱和电离的概念（本征激发） 5、杂质半导体费米能级的位置：公式1-7-33和1-7-37。意义（图1-13，费米能级随着掺杂浓度和温度的变化）。 6、杂质补充半导体的费米能级 四、载流子的运输 1、（1.8节）载流子的运动模式：散射－漂移－散射。平均弛豫时间的概念 2、迁移率，物理意义：公式1-9-4和1-9-5（迁移率与电子自由运动时间和有效质量有关），迁移率与温度和杂质浓度的关系 3、电导率，是迁移率的函数：公式1-9-10和1-9-11 4、在外电场和载流子浓度梯度同时存在的条件下，载流子运输公式：1-9-24～1-9-27 5、费米势：公式1-10-5：电势与费米能级的转换 6、以静电势表示的载流子浓度1-10-6和1-10-7或1-10-9和1-10-10 7、爱因斯坦关系：反映了扩散系数和迁移率的关系。在非热平衡状态下也成立。公式1-10-11和1-10-12 五、非平衡载流子 1、概念：平衡与非平衡（能带间的载流子跃迁）；过剩载流子 2、大注入和小注入 3、产生率、复合率、净复合率 4、非平衡载流子的寿命：从撤销外力，到非平衡载流子消失。单位时间内每个非平衡载流子被复合掉的概率 ，净复合率 5、载流子的寿命 ：反映衰减快慢的时间常数，标志着非平衡载流子在复合前平均存在的时间 6、准费米能级1-12-1、1-12-2 7、直接复合、间接复合 8、非平衡少子寿命与本征半导体的关系： 在掺杂半导体中，非平衡少子的寿命比在本征半导体中的短， 和多子浓度成反比，即与杂质浓度成反比。 9、基本控制方程：1-15-3、1-15-4、1-15-2 参考题（例子） 1、请画出导体、半导体、绝缘体的能带结构示意图，并解释它们之间的区别。 2、什么是费米能级？请写出费米函数。 3、什么是质量作用定律？它的适用范围？ 4、请写出N型和P型半导体的费米能级公式，并解释其费米能级与掺杂浓度和温度之间的关系。 5、请画出两种杂质半导体的能级结构，并解释。 第二章 PN结 一、热平衡PN结 1、PN结的形成，能带图形成原理以及结构（会画） 2、突变和缓变PN结 3、PN结的内建电势2-1-7和2-1-19 4、电势和电场的面积关系： 5、泊松方程：电荷密度、电场、电势的关系 二、加偏压的PN结 1、能带的变化特点：偏离平衡态，出现准费米能级（图2-5）； 2、扩散近似；正向注入和反向抽取：边界处少子浓度与外加偏压的关系 3、边界条件2-2-1和2-2-12 三、理想PN结的直流电流－电压特性 1、理想情况的几个假设：（1）～（4） 2、能够画出正、反偏压下PN结少子分布、电流分布和总电流示意图。（图2-7、2－8） 3、公式2-3-16及其近似2-3-22 4、空穴和电子的扩散长度表达式（P75）及意义（两个意义：扩散区域；少子扩散电流衰减为1/e）。 空穴扩散区、电子扩散区 四、空间电荷区的复合电流和产生电流 1、图2－11，分三个阶段 低偏压：空间电荷区的复合电流占优势 偏压升高： 扩散电流占优势 更高偏压： 串联电阻的影响出现了 五、隧道电流 1、了解隧道电流的概念及产生条件。 2、江崎二极管的电流-电压特性（图2-13） 六、I-V特性的温度依赖关系 1、图2－14和2－15：在相同电压下，电流随温度升高。 七、耗尽层电容（势垒电容、结电容）和扩散电容 1、概念、形成原因 2、扩散电容在低频正向偏压下特别重要。 八、PN结二极管的频率特性 1、二极管等效电路图2-19 2、二极管直流电导或扩散电导 扩散电容 九、电荷存储和反向瞬变 1、PN结的开关作用。 2、反向瞬变和电荷存储的概念 3、根据2－21的载流子分布，解释2－20所示的电流、电压特性（分三