抗Y剂量率的GaAs材料技术的研究.pdfVIP

抗y剂量率的GaAs材料技术研究 齐德格赖占平商瑞良刘晏风社庚娜刘建宁苑进良 电子部四十六研究所天津412信箱300220 摘要：本文认为提高GaAs材料的抗Y射线剂量率性能，也就是减小当y射线照射半导体器件时基体材料 的电离效应和位移效应，关键在于对基体材料进行晶格加固和尽量提高萋体材料的纯度．因此我们采用高 ＆酿位合成LEC拉晶工艺进行等电子掺杂来加固晶体的晶格．同时采用原位提纯工艺提高材料的纯度：特 昌j是采取了～系列的降低c浓度的措施。使得研制的s】--SaAs单晶材料中的C浓度降低了半个数量级， 单品的电子迁移率也相应地有了很大的提高。 一、引言 随着我国航空、航天技术及电子对抗等方面的发展，需要耐辐射性能好的材料，砷化镓材料由 于具有宽的禁带宽度、高的电子迁移率、器件工作速度快、工作温度高、低功耗、抗辐射能力强等 特点．近年来越来越受到重视。 当射线辐照半导体器件时，由于电离效应，在器件中可产生光电流，光电流的大小与射线柬的 强弱、器件的种类、偏压高低、负载大小等[a素有关。光电流的产生给电子系统引入了附加电信号， 倥其功能改变，严重者可使器件的引线烧毁，造成永久破坏。在逻辑电路中，电离辐射产生的光电 流可使逻辑状态发