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90+nm+CMOS工艺下电压触发的ESD检测电路.pdf
年 月 西安电子科技大学学报 自然科学版( )
2015 6 Jun.2015
第 卷 第 期
42 3 JOURNAL OF XIDIAN UNIVERSITY Vol.42 No.3
doi:10.3969/.issn.1001-2400.2015.03.010j
90nm CMOS工艺下电压触发的ESD检测电路
, , ,
杨兆年 刘红侠 朱 嘉 费晨曦
( , )
西安电子科技大学 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 陕西 西安 710071
:
摘要 提出两种 工艺下电压触发的静电放电检测电路 电压触发的静电检测电路避免了
90nm 1V CMOS .
, ,
纳米级工艺中的 电容栅极漏电问题 该检测电路包含一个反馈回路 提高了检测电路的触发效率 同
MOS .
, , ,
时增加了反馈关断机制 在芯片工作时检测电路由于某些特殊因素误触发后 仍然可以自行关断 而不会
, ,
进入闩锁状态 在 静电放电仿真时 该电路能产生 触发电流 以开启箝位器件来泄放静电电荷
. 3V 28mA .
, ( ) ,
在 25℃正常电压下工作时 漏电流仅为42 45 nA.仿真结果表明 该检测电路可成功用于纳米级 CMOS
工艺的集成电路静电保护.
: ; ; ;
关键词 反馈 检测电路 静电放电 电压触发
中图分类号: 文献标识码: 文章编号: ( )
TN495 A 1001-2400 2015 03-0054-07
Volta e tri ered ESD detection circuits in a 90nm CMOS rocess
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YANG Zhaonian,LIU Hon xia,ZHU Jia,FEI Chenxi
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Ministr of Educ
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