[工学]第1章 半导体器件 .ppt

2. 工作原理 s g d 二氧化硅 铝 N+ N+ P 图1.29 VDD ? vGS=0，即使加vDS， ? 无沟道， iD=0， VDS d s 衬底 总有一个PN结反偏； 此时若s与衬底连，则D与衬底间PN结亦是反偏。 见图(a) vGS0，排斥空穴，吸引电子到半导体表面 vGS?到vGSVT，半导体表面形成N导电沟道，将源区和漏区连起来。 VT：开启电压 ? s g d N+ N+ P VDD VGG N型(感生)沟道 图1.30 见图(b) s g d N+ N+ P VDD VGG N型(感生)沟道 图 1.30 iD迅速增大 ?加上VDS vGSVT：已形成感生沟道 vDS=0 iD=0 vDS? iD? 沟道成楔形 （vGS –vDS VT）见图(c) vDS?? 靠d端被夹断 （vGS –vDS =VT） vDS??? 夹断区?iD饱和 （vGS –vDS VT）见图(d) s g d N+ N+ P VDD VGG 图1. 30 iD饱和 夹断区 ? vDS并不能控制iD。 要增大iD，须增大vGS，使沟道加宽； 要减小iD，须减小vGS，使沟道变窄； 这体现了vGS对iD的控制。 3. 特性曲线 图1.31 ? 从转移特性可看出，只有vGSVT ，沟道形成，加vDS，才有iD。 ? 输出特性也分三个区。 0 4 8 12 16 20 1 2 3 4 II III I vDS(V) iD(mA) 5V 4 vGS=3V (a) vDS=10V 0 2 4 6 1 2 3 4 vGS(V) iD(mA) (b) 归纳： vGSVT ，在半导体表面形成感生沟道，并控制它。 vGS? 沟道? iD? vGS? 沟道? iD ? 这就是vGS对iD的控制 二、耗尽型绝缘栅场效应管的特点（N沟道） 1. 结构符号 g d s 衬底 (d) + + + + + + s g d 衬底引线 N+ N+ N型沟道 P (c) 图1.29 在绝缘层sio2里掺杂大量正离子 2. 工作原理 vGS 沟道 iD 0 存在 有vDS就有iD 0 变宽 ? 0 变窄 ? vGS(V) VP iD O (a) IDSS 3. 特性曲线 vDS(V) iD O –0.4 vGS＝0(V) –0.2 0.2 (b) 图1.32 1.4.4 场效应管的微变等效电路 1. 场效应管的小信号模型 条件：? 信号是微变量 ? 管子工作在线性区 ?无栅流。所以输入g、s间相当于一个很大的电阻 用rgs表示 输出 iD = f (vDS , vGS ) (依输出特性得来) 用相量表示 g s d rgs rd + – – + — vGS vDS d s g + – + – iD (a) g s d rgs rd + – – + (b) — 要求不高的场合可用简化模型 ? rgs可不画； ? rd Rd ，忽略rd的影响。 g s d + – – + 图1.33 — * 稳压二极管的应用 * * vCE(V) iC(?A) 4 3 2 1 0 2 4 6 8 2. 输出特性曲线 图1.21 100 80 60 20 iB=0 ICE0 iB=40(?A) ? 先看iB=40?A的一条曲线 ? 要想改变iC ，得改变iB ，这样，得到一组曲线簇； vCE 很小时，集电结反偏小，收集载流子能力弱， vCE ? iC ? 当vCE 1V后， iC 大致与横轴平行； 1.3.4 三极管的主要参数 1. 电流放大系数 共射： 若IC ICEO 则 交流放大系数用? 表示 如图1.21 vCE(V) iC(?A) 4 3 2 1 0 2 4 6 8 图1.21 2.3 1.5 ?IC ?IB Q 100 80 60 40 iB=20(?A) ? 若满足条件：? ICEO很小时，可忽略； ? 管子工作在线性区。 共基： 2. 集电极－基极反向饱和电流 ICBO 发射极开路，c、b间加上一定反向电压时的反向电流，（由少数载流子引起） 硅管：1?A 小功率锗管：约为10?A。 VCC e ?A + – c b ICBO 3. 集电极－发射极反向饱和电流ICE0（穿透电流） 基极开路，c、e间加一定反向电压时的集电极电流 VCC e c b ICEO ?A 4. 极限参数 a. 集电极最大允许电流 ICM。 三极管的参数变化不超过允许值时集电极允许的