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第一章 常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 二、选择正确答案填入空内。 三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压UD=0.7V。 四、已知稳压管的稳压值UZ=6V,稳定电流的最小值IZmin=5mA。求图示电路中UO1和UO2各为多少伏。 五、某晶体管的输出特性曲线如图所示,其集电极最大耗散功率PCM=200mW,试画出它的过损耗区。 六、电路如图T1.6所示,VCC=15V,β=100,UBE=0.7V。试问: (1)Rb=50kΩ时,uO=? (2)若T临界饱和,则Rb≈? 七.测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位如表所示,它们的开启电压也在表中。试分析各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电阻区),并填入表内。 习 题 1.1 选择合适答案填入空内。 1.2 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端?为什么? 1.3 电路如图所示,已知ui=10sinωt(v),试画出ui与uO的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。 1.4 电路如图,已知ui=5sinωt (V),二极管导通电压UD=0.7V。试画出ui与uO的波形,并标出幅值。 1.5 电路如图P1.5(a)所示,其输入电压uI1和uI2的波形如图(b)所示,二极管导通电压UD=0.7V。试画出输出电压uO的波形,并标出幅值。 1.6 电路如图所示,二极管导通电压UD=0.7V,常温下UT≈26mV,电容C对交流信号可视为短路;ui为正弦波,有效值为10mV。 试问二极管中流过的交流电流有效值为多少? 1.7 现有两只稳压管,它们的稳定电压分别为6V和8V,正向导通电压为0.7V。试问: 1.8 已知稳压管的稳定电压UZ=6V,稳定电流的最小值IZmin=5mA,最大功耗PZM=150mW。试求图示电路中电阻R的取值范围。 1.9 已知图示电路中稳压管的稳定电压UZ=6V,最小稳定电流IZmin=5mA,最大稳定电流IZmax=25mA。 1.10 在图示电路中,发光二极管导通电压UD=1.5V,正向电流在5~15mA时才能正常工作。试问: 1.11 电路如图(a)、(b)所示,稳压管的稳定电压UZ=3V,R的取值合适,uI的波形如图(c)所示。试分别画出uO1和uO2的波形。 1.12 在温度20℃时某晶体管的ICBO=2μA,试问温度是60℃时ICBO≈? 1.13 有两只晶体管,一只的β=200,ICEO=200μA;另一只的β=100,ICEO=10μA,其它参数大致相同。你认为应选用哪只管子?为什么? 1.14已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100,现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图所示。分别求另一电极的电流,标出其实际方向,并在圆圈中画出管子。 1.15测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子,并分别说明它们是硅管还是锗管。 1.16 电路如图所示,晶体管导通时UBE=0.7V,β=50。试分析VBB为0V、1V、1.5V三种情况下T的工作状态及输出电压uO的值。 1.17 电路如图所示,试问β大于多少时晶体管饱和? 1.18 电路如图所示,晶体管的β=50,|UBE|=0.2V,饱和管压降|UCES|=0.1V;稳压管的稳定电压UZ=5V,正向导通电压UD=0.5V。试问:当uI=0V时uO=?当uI=-5V时uO=? 1.19 分别判断图示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。 1.20 已知某结型场效应管的IDSS=2mA,UGS(off)=-4V,试画出它的转移特性曲线和输出特性曲线,并近似画出予夹断轨迹。 1.21 已知放大电路中一只N沟道场效应管三个极①、②、③的电位分别为4V、8V、12V,管子工作在恒流区。试判断它可能是哪种管子(结型管、MOS管、增强型、耗尽型),并说明 ①、②、③与G、S、D的对应关系。 1.22 已知场效应管的输出特性曲线如图,画出它在恒流区的转移特性曲线。 1.23 电路如图,T的输出特性如上题所示,分析当uI=4V、8V、12V三种情况下场效应管分别工作在什么区域。 1.24 分别判断图示各电路中的场效应管是否有可能工作在恒流区。 解:取UCES=UBE,若管子饱和,则 解得: 所以,当 时,管子饱和。 解:(1)当uI=0时,T截止,稳压管击穿,uO=-UZ=-5V。 当uI=-5V时, 所以晶体管T饱和,uO=0.1V。 发射结反偏 UBE太大,T的发射结会因电流过大而损坏 解: 逐点求出确定的uGS下的iD,可近似画出转移特性和输出特性;在输出特性中,将各条曲线上uGD=UGS(off)的点连接起

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