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序言、第一章 集成电路中的寄生效应 作业：
补充题：
集成电路可分为哪几类？请分别叙述之。
半导体集成电路按晶体管工作性能可分为哪几类？按电路工作性质又可分为哪几类？请分别叙述之。
半导体集成电路中的寄生可分为哪两类？各包括哪些内容？各影响半导体集成电路的哪些性能？
采用何种措施可消除常规集成晶体管和集成电阻结构带来的有源寄生效应？这些措施的作用原理是什么？
第一章习题：1、2、3、4、6
註：1．习题1中,对均匀基区有λ=2;且有；。
2．习题6中所求②的条件改为变化反偏压由0伏到-4伏变化;③的条件为固定反偏压始终为-4.7伏。
3．本次作业请课代表于3月9日上课前收齐，在课后交。
⒋所有作业均需抄题后再做。否则，不预批改（按没交作业计）。
TTL集成电路 作业1：
补充题：
何谓集成电路的抗干扰能力？该能力与电路的什么参数有关？什么关系？
对与非门电路，当输入为理想方波时，画出输入、输出对照曲线图，表明各瞬态延时区间？
简易TTL与非门在电路性能上有何缺点？采用何种措施可分别克服之？简述原理。
图2-7（a）为四管TTL与非门单元，图中在T3和输出间加了二极管D。分析电路的两个稳定状态及加入D的作用？
习题：第60页的习题2、3、4（第四题中仅做第一问）
（本次作业在3月23日课前收齐，课后交）
TTL集成电路 作业2：
补充题：
在六管TTL与非门静态参数中，引入了VIK，为了实现该参数在电路中采取了什么措施？引入该参数有何实际意义？
TTL电路的温度特性与何因素有关？试分析电路参数VOH随温度变化的关系及原因。
第54页的图2-57（b）为SN74LS08电路图，分析两个稳定工作状态？列出真值表。
习题：第61页的习题6、7
（本次作业在4月6日课前收齐，课后交）
中大规模集成电路 作业：
补充题：
中大规模集成电路通常由哪几类门组成？每类门各有什么要求？为简化电路常采用简化逻辑门，在哪一类门中采用简化门更合适？为什么？
分析单管串级与非门的逻辑关系？分析如图3-14所示的两串级与非门构成C1-E2串接时电路的逻辑功能？
习题：
第84页的习题1、3。
TTL集成电路的版图设计 作业：
补充题：
何谓最小面积晶体管？其在版图设计中有什么意义？
集成二极管的设计有几种形式？分析各结构的有源寄生情况？
画出图4-16（e）加SBD双发射极、双集电极晶体管的版图，并在版图下画出对应的工艺剖图。
TTL与非门T1管的版图设计为长脖子基区结构，如图4-5（e）所示，为什么（要求详述其原因）？
集成电路制造中需制造高阻值电阻，请提出几种可行的高阻值集成电阻结构的设计方案？
（本次作业在4月13日收，课前收齐，课后交）
有关MOS晶体管补充题：
画出增强型n沟道MOS晶体管的工艺剖图，标明各电极。叙述导通和截止两种工作状态条件及与工艺结构中变化的关系？
MOS晶体管工作电流与VGS和VDS均有关系，说明VGS和VDS各对ID的影响？
写出增强型n沟道MOS晶体管的饱和和非饱和电流公式，对应给出各自的工作条件？
第六章nMOS逻辑集成电路 作业 （1）
补充题：
MOS集成电路有哪两种分类方法？写出两种分类中各自的MOS集成电路类别？
E/E MOS负载倒相器的含义是什么？列出属于这类倒相器的各种倒相器，并画出各自的相应电路图。
习题：
第162页 习题 1、2、3。
註：习题 2中的∈OX=εOεOX, 其中εO=8.85×F/cm，为真空介电常数；εOX≦4（取3.73，为二氧化硅介质介电常数）习题6中同此。
（本次作业在4月27日收，课前收齐，课后交）
第六章nMOS逻辑集成电路 作业 （2）
补充题：
由MOS倒相器的瞬态特性分析MOSIC瞬态特性与双极型IC相比有何特点？原因何在？
对E/D MOS负载倒相器，其电压传输特性曲线分为三个工作区。画出该电压传输特性曲线；标明三个工作区；说明在三个工作区中TE、TD各自的工作条件和工作状态？
画出的MOSIC的电路图。
习题：
第162页习题6、7、8。
註：习题 6中：
①∈OX=εOεOX, 其中εO=8.85×F/cm，为真空介电常数；εOX≦4（取3.73，为二氧化硅介质介电常数）。
②讨论时不考虑衬底偏置效应。
（本次作业在5月11日收，课前收齐，课后交）
第七章CMOS集成电路 作业：
补充题：
为什么说CMOS集成电路是微功耗电路？从电路总功耗来看，在电路的什么工作条件下它不再是微功耗电路？
CMOS倒相器其最大输出电压近似为电源电压；最小输出电压近似为零伏，从电路上分析是如何达到的？
请分别叙述N沟、P沟单管传输门各自的传输特点？分析CMOS传输门如何保证了上
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