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半导体器件 化学元素周期表 二极管主要参数 最大整流电流：最大正向平均电流IOm； 最大反向电压：最高反向工作电压URm； 最大反向电流：IRm反映二极管的单向导通特性 二极管的应用 整流 防反接 限幅 门电路 …… 3.其它类型二极管 光电二极管 光照影响反向电流，光强度高、反向电流大； 发光二极管（LED） 单管LED 七段式数码管 矩阵式LED显示屏 稳压二极管 三极管开关电路 控制较大功率的LED开关 跨导gm IB=IBE-ICBO?IBE IB B E C N N P EB RB EC IE ICBO ICE IC=ICE+ICBO ?ICE IBE ICE与IBE之比称为电流放大倍数： 要使三极管能放大电流，必须使发射结正偏，集电结反偏。 NPN型三极管 PNP型三极管 B E C T IB IE IC B E C T IC IB IE 三极管的电流方向和发射结与集电结所处的极性： ＋ ＋ ＋ ＋ 4.3 特性曲线 IC mA ?A V V UCE UBE RB IB EC EB 实验电路 一、输入特性曲线 UCE ?1V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 工作压降： 硅管UBE?0.6~0.7V,锗管UBE?0.2~0.3V。 UCE=0V UCE =0.5V 死区电压： 硅管0.5V， 锗管0.2V。 输入特性曲线是指UCE为常数时， IB与UBE之间的关系曲线。即： 二、输出特性曲线 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域满足IC=?IB 称为线性区（放大区）。 当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=?IB。 输出特性曲线是指IB 为常数时， IC与UCE之间的关系曲线。即： IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中UCE?UBE,集电结正偏，?IBIC，UCE?0.3V称为饱和区。 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中 : IB=0,IC=ICEO,UBE 死区电压，称为截止区。 输出特性三个区域的特点: 放大区：发射结正偏，集电结反偏。 即： IC=?IB , 且 ?IC = ? ? IB (2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 即：UCE?UBE ， ?IBIC，UCE?0.3V (3) 截止区： UBE 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO ?0 前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。 共射直流电流放大倍数： 工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为?IB，相应的集电极电流变化为?IC，则交流电流放大倍数为： 4.4 主要参数 1. 电流放大倍数 ? 和 ? 在以后的计算中，一般作近似处理：? = 例： UCE=6V时：IB = 40 ?A, IC =1.5 mA； IB = 60 ?A, IC =2.3 mA。 2.集-基极反向截止电流ICBO ?A ICBO ICBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向电流，受温度的变化影响。 B E C N N P ICBO ICEO= ? IBE+ICBO IBE ? IBE ICBO进入N区，形成IBE。 根据放大关系，由于IBE的存在，必有电流?IBE。 当集电结反偏时，集电区的空穴漂移到基区而 形成的ICBO 3. 集-射极反向截止电流ICEO ICEO受温度影响很大，当温度上升时，ICEO增加很快，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。 4.集电极最大允许电流 ICM 集电极电流IC上升会导致三极管的?值的下降，当?值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。 5.集-射极反向击穿电压U(BR)CEO 当集---射极之间的电压UCE超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25?C、基极开路时的击穿电压U(BR)CEO。 6. 集电极最大允许功耗 PCM 集电极电流IC 流过三极管， 所发出的焦耳 热为： PC =ICUCE 必定导致结温 上升，所以PC 有限制。 PC?PCM IC UCE ICUCE=PCM ICM U(BR)CEO 安全工作区 * 1 半导体的基础知识，P型硅，N型硅 2 PN结及半导体二极